Text
Anlage
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AUSFUHRLISTE
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ABSCHNITT I
* Vormaterialien für Chemiewaffen:
(auch unter anderen Handelsnamen)
* Vormaterialien für biologische Waffen:
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CW01 Vormaterialien für Chemiewaffen
C.A.S.-Nr. Bezeichnung:
111-48-8 Thiodiglykol, 2,2'-Thiodiethanol
10025-87-3 Phosphoroxychlorid
756-79-6 Methylphosphonsäuredimethylester
676-99-3 Methylphosphonsäuredifluorid
676-97-1 Methylphosphonsäuredichlorid
868-85-9 Dimethylphosphit
7719-12-2 Phosphortrichlorid
121-45-9 Trimethylphosphit
7719-09-7 Thionylchlorid
96-79-7 N,N-Diisopropyl-2-aminochlorethan
5842-07-9 N,N-Diisopropyl-2-aminoethanthiol
7789-23-3 Kaliumfluorid
107-07-3 2-Chlorethanol, Ethylenchlorhydrin
124-40-3 Dimethylamin
506-59-2 Dimethylaminhydrochlorid
57856-11-8 Methylphosphonigsäure-
0-(2-diisopropylaminoethyl)ethylester
3554-74-3 3-Hydroxy-1-methylpiperidin
1619-34-7 3-Chinuclidinol
78-38-6 Ethylphosphonsäurediethylester
2404-03-7 N,N-Dimethylaminodiethylphosphat
762-04-9 Diethylphosphit
1498-40-4 Ethylphosphonigsäuredichlorid
1066-50-8 Ethylphosphonsäuredichlorid
753-98-0 Ethylphosphonsäuredifluorid
7664-39-3 Fluorwasserstoff
76-89-1 Methylbenzilat
676-83-5 Methylphosphonigsäuredichlorid
96-80-0 N,N-Diisopropyl-2-aminoethanol
464-07-3 Pinakolylalkohol,
tert. Butylmethylcarbinol
122-52-1 Triethylphosphit
7784-34-1 Arsentrichlorid
76-93-7 Benzilsäure, Diphenylglykolsäure
15715-41-0 Methylphosphonigsäurediethylester
6163-75-3 Ethylphosphonsäuredimethylester
430-78-4 Ethylphosphonigsäuredifluorid
753-59-3 Methylphosphonigsäuredifluorid
3731-38-2 3-Chinuclidon
10026-13-8 Phosphorpentachlorid
75-97-8 Pinakolon, 3,3-Dimethyl-2-butanon
151-50-8 Kaliumcyanid
7789-29-9 Kaliumhydrogendifluorid
1341-49-7 Ammoniumhydrogendifluorid
7681-49-4 Natriumfluorid
1333-83-1 Natriumhydrogendifluorid
143-33-9 Natriumcyanid
102-71-6 Triethanolamin
1314-80-3 Phosphorpentasulfid
108-18-9 Diisopropylamin
100-37-8 2-Diethylaminoethanol
1313-82-2 Natriumsulfid
BW01 Vormaterialien für biologische Waffen
1. Viren
V1 Chikungunya Virus
V2 Kongo-Krimfieber Virus
V3 Denguefieber Virus
V4 Östliches Pferde Enzephalitis Virus
V5 Ebola Virus
V6 Hantaan Virus
V7 Junin Virus
V8 Lassafieber Virus
V9 Lymphozyteres Choriomeningitis Virus
V10 Machupo Virus
V11 Marburg Virus
V12 Affenpocken Virus
V13 Rifttalfieber Virus
V14 Frühsommer Meningoenzephalitis Virus
V15 Pocken Virus
V16 Venezuelanisches Pferde Enzephalitis
Virus
V17 Westliches Pferde Enzephalitis Virus
V18 White Pox Virus
V19 Gelbfieber Virus
V20 Japanisches Enzephalitis Virus
2. Ricketten
R1 Coxiella burnetii
R2 Rickettsia quintana
R3 Rickettsia prowasecki
R4 Rickettsia rickettsii
3. Bakterien
B1 Bacillus anthracis
B2 Brucella abortus
B3 Brucella melitensis
B4 Brucella suis
B5 Chlamydia psittaci
B6 Clostridium botulinum
B7 Francisella tularensis
B8 Pseudomonas mallei
B9 Pseudomonas pseudomallei
B10 Salmonella typhi
B11 Shigella dysenteriae
B12 Vibrio cholerae
B13 Yersinia pestis
ABSCHNITT II
WAREN-GRUPPEN
1 MATERIALIEN
2 MATERIALBEARBEITUNG
3 ELEKTRONIK
4 COMPUTER
5 TELEKOMMUNIKATION
6 SENSOREN
7 AVIONIK
8 MARINETECHNOLOGIE
9 VORTRIEBSTECHNIK
0 ANDERE WAREN
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Teil A Technologietransfer Teil B Nicht Weiterverbreitung
(ABC-Waffentechnologie)
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A Geräte, Baugruppen und Bauteile N A-Waffen relevante Waren
B Prüf- und BW B-Waffen relevante Waren
Fertigungseinrichtungen CW C-Waffen relevante Waren
C Materialien R Trägertechnologie
D Software
E Technologie
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Allgemeine Hinweise zur
Bewilligungspflicht
Eine Ausfuhrbewilligung ist auch
erforderlich:
1. Wenn eine Ware, die nicht
erforderlich/wesentlich ist für
die Funktion des zu
exportierenden Endproduktes, bei
der Ausfuhr technisch durch eine
Position dieses Abschnittes
erfaßt wird (identifizierbar als
Listenware).
2. Wenn die Ware ein
„Spezialteil'' einer durch
diesen Abschnitt erfaßten Ware
ist, ohne selbst namentlich
genannt zu sein. (Spezialteile
sind als Bestandteile von Waren
zu verstehen, die für diese
Waren besonders konstruiert und
nur für diese verwendbar sind).
3. Für „Technologie'' - für die
Entwicklung, die Erzeugung, den
Betrieb, die Wartung, usw.., von
Waren, die durch diesen
Abschnitt erfaßt werden, wenn
diese auf Datenträgern jeder Art
ausgeführt wird.
4. „Technologie'' notwendig für
die „Entwicklung'',
„Produktion'' oder
„Verwendung'' erfaßter Waren
gilt als „erfaßt'', auch dann,
wenn diese für nichterfaßte
Waren anwendbar ist.
1 - MATERIALIEN
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ANMERKUNG:
A. GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE Die Nummern 1R01 bis 1R10
erfassen Einrichtungen, die
entwickelt sind für den Gebrauch
in Raketensystemen der Nummer
9R01.
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1A01 Bauteile aus fluorierten
Verbindungen;
a) Verschlüsse, Dichtungen,
Dichtungsmassen und Heizbälge
speziell konstruiert zur
Verwendung in Luft- und
Raumfahrt, die zu mehr als 50%
aus von den Nummern 1C09.b oder
c erfaßten Materialien gefertigt
sind;
b) Piezoelektrische Polymere und
Copolymere aus Vinylidenfluorid,
gefertigt:
1. in Form von Folien oder
Filmen; und
2. mit einer Stärke von mehr als
200 mym;
c) Verschlüsse, Dichtungen,
Dichtungsmassen, Bälge oder
Diaphragmen aus
Fluorelastomeren, die mindestens
ein Vinylether-Monomer enthalten
und speziell konstruiert sind
zur Verwendung in der Luft- und
Raumfahrt sowie Raketentechnik.
1A02 Verbundwerkstoff-Strukturen
oder Laminate:
a) mit einer organischen Matrix und
aus Materialien gefertigt, die
unter den Nummern 1C10.c, d oder
e erfaßt sind; oder
b) mit einer Matrix aus Metall oder
Kohlenstoff und gefertigt aus:
1. Faserigen und fadenförmigen
Kohlenstoffmaterialien mit:
a) einem spezifischen Modul von
mehr als 10,15 x 10 hoch
6 m; und
b) einer spezifischen
Zugfestigkeit von mehr als
17,7 x 10 hoch 4 m; oder
2. Materialien, die in der Nummer
1C10.c erfaßt sind.
1A03 Erzeugnisse aus
nichtfluorierten polymeren
Substanzen, die von der Nummer
1C08.a erfaßt sind, in Form von
Filmen, Folien, Bändern und
Streifen:
a) mit einer Dicke von mehr als
0,254 mm; oder
b) beschichtet oder laminiert mit
Kohlenstoff, Graphit,
metallischen oder magnetischen
Substanzen.
1R01 Verbundstrukturen, Laminate
und Produkte daraus,
einschließlich
harzimprägnierter
Faser-Prepregs und
metallbeschichteter
Faser-Preforms dafür, speziell
konstruiert für die Verwendung
in den in Nummer 9R01 genannten
Systemen und den in Nummer 9R02
genannten Subsystemen,
hergestellt aus organischer
Matrix oder Metallmatrix unter
Verwendung einer Faser- oder
Fadenverstärkung mit einer
spezifischen Zugfestigkeit von
mehr als 7,62 x 10 hoch 4 m
(3 x 10 hoch 6 Inches) und
einem spezifischen Modul von
mehr als 3,18 x 10 hoch 6 m
(1,25 x 10 hoch 8 Inches).
B. PRÜF- UND
FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN
1B01 Ausrüstungen zur Herstellung
durch von den Nummern 1A02 oder
1C10 erfaßten Fasern, Prepregs,
Vorformen oder
Verbundwerkstoffen, wie folgt,
und speziell hierfür
konstruierte Bauteile und
Zubehör:
1R02
a) Faserwickelmaschinen, deren a) Fadenwickelmaschinen, deren
Bewegungen zur Positionierung, Bewegungen zur Positionierung
Umhüllung und Wicklung von und zum Wickeln der Fäden in
Fasern in drei oder mehr Achsen drei oder mehr Achsen
koordiniert und programmiert und koordiniert und programmiert
die speziell konstruiert sind sind und die für die Fertigung
zur Fertigung von von Verbundstrukturen oder
Verbundwerkstoff-Strukturen oder Laminaten aus Faden- oder
Laminaten aus faserigen oder Fasermaterial konstruiert sind,
fadenförmigen Materialien; sowie Koordinations- und
Programmiersteuerungen.
b) Bandlege- oder b) Bandlegemaschinen, deren
Spinnkabelplazierungsmaschinen, Bewegungen zur Positionierung
deren Bewegungen zum und zum Legen von Bändern und
positionieren und legen von Bögen in zwei oder mehr Achsen
Bändern, Spinnkabeln oder Folien koordiniert und programmiert
in zwei oder mehr Achsen sind und die für die
koordiniert und programmiert ist Herstellung von
und die speziell konstruiert Luftfahrzeugzellen und
sind zur Fertigung von Flugkörperstrukturen aus
Flugzeugzellen und Verbundwerkstoff konstruiert
Flugkörperstrukturen aus sind.
Verbundwerkstoffen;
c) Multidirektionale oder c) Flechtmaschinen, einschließlich
multidimensionale Webautomaten Adapter und Modifikationskits,
oder Verkettungsmaschinen zum Weben oder Flechten von
einschließlich Adaptions- und Fasern, die für die Fertigung
Abänderungsbausätze zum Weben, von Verbundstrukturen
Verketten oder Flechten von konstruiert sind, ausgenommen
Fasern zur Fertigung von Textilmaschinen, die für die
Verbundwerkstoff-Strukturen, obengenannten
ausgenommen Maschinen für die Endverwendungszwecke nicht
Textilindustrie, die nicht für modifiziert wurden.
obige Zwecke abgeändert sind;
d) Ausrüstungen, besonders d) Geräte, die für die Fertigung
konstruiert oder adaptiert zur von Faden- oder Fasermaterial
Fertigung von Verstärkerfasern konstruiert oder modifiziert
wie folgt: wurden:
1. Ausrüstungen zur Umwandlung
von Polymerfasern (wie zB
Polyacrylnitril, Reyon, Teer-
oder Polycarbosilan) in
Kohlenstoff-Fasern oder
Siliciumkarbidfasern
einschließlich besonderer
Geräte zum Strecken der Faser
unter Hitze;
2. Ausrüstungen zur chemischen
Beschichtung aus der Gasphase
(CVD) von Elementen oder
Verbindungen auf erhitzte
Filamentsubstrate zur
Fertigung von
Siliciumkarbidfasern;
3. Ausrüstungen zum Naßspinnen
von hochschmelzender Keramik
(wie zB Aluminiumoxid);
4. Ausrüstungen zur Umwandlung
von Aluminium, das
Faservorstufen enthält,
mittels Wärmebehandlung in
Aluminiumoxidfasern;
1. Geräte für die Konvertierung
von Polymerfasern (zB
Polyacrylnitril, Rayon oder
Polycarbosilan), die
spezielle Vorrichtungen zur
Faserbelastung beim Erhitzen
aufweisen,
2. Geräte für das Aufdampfen
von Elementen oder
Verbindungen auf erhitzte
Fasersubstrate und
3. Geräte für das Naßspinnen
von hitzefesten Keramiken
(zB Aluminiumoxid).
e) Ausrüstungen zur Fertigung von e) Geräte, die für die spezielle
Prepregs, die in Nummer 1C10.e Faseroberflächenbehandlung oder
erfaßt sind, mittels Fertigung von Prepregs und
Heißschmelzmethode; Preforms konstruiert oder
modifiziert wurden.
Hinweis: Die in diesem Absatz
erfaßten Geräte beinhalten ua.
auch Rollmaschinen,
Ziehmaschinen,
Beschichtungsgeräte,
Schneidgeräte und „clicker
dies''.
f) Ausrüstungen für die
zerstörungsfreie 3D-Prüfung
mittels Ultraschall oder
Röntgentomographie, speziell
konstruiert für
Verbundwerkstoffe;
1B02 Anlagen und Komponenten
hierfür, besonders konstruiert
zur Fertigung von
Metall-Legierungen,
Metall-Legierungspulver oder
legierten Materialien, die in
den Nummern 1C02.a.2, 1C02.b
oder 1C02.c erfaßt sind.
1B03 Werkzeuge, Prägestempel,
Formen oder
Befestigungsvorrichtungen für
superplastische Formung oder
Diffusionsverbindung
(superplastic forming or
diffusion bonding) von Titan,
Aluminium oder deren
Legierungen, speziell
konstruiert zur Fertigung
folgender Produkte:
a) Flugkörperstrukturen für die
Luft- oder Raumfahrt;
b) Motoren für Luft- oder
Raumfahrzeuge; oder
c) speziell konstruiert für
diese Strukturen oder
Motoren.
1BW01 Anlagen oder Anlagenteile,
die auch geeignet sind zur
Erzeugung biologischer
Kampfmittel, wie folgt:
a) Vollständige Kontainments für
Sicherheitsstufe BL3 oder BL4
gemäß „WHO Laboratory
Biosafety Manual (Genf 1983)''.
b) Fermenter:
Fermenter zum Kultivieren
pathogener Mikroorganismen,
Viren oder zur Produktion von
Toxinen, gasdicht, mit allen
folgenden Eigenschaften:
1. Fassungsvermögen gleich
oder größer als 300 l;
2. doppelt oder mehrfach
gedichtete Verbindungen im
Bereich der Dampfzonen;
3. geeignet zur
in-situ-Sterilisation in
geschlossenem Zustand.
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ANMERKUNG:
Unter Fermenter sind auch
Bioreaktoren, Chemostaten und
Durchflußsysteme zu verstehen.
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c) Zentrifugalseparatoren:
Zentrifugalseparatoren,
geeignet zur kontinuierlichen
Trennung pathogener
Mikroorganismen, gasdicht und
mit allen folgenden
Eigenschaften:
1. Durchflußrate größer als
100 l/h;
2. Bauteile aus poliertem
rostfreien Stahl oder
Titan;
3. doppelt oder mehrfach
gedichtete Verbindungen im
Bereich der Dampfzonen;
4. geeignet zur
in-situ-Sterilisation in
geschlossenem Zustand.
d) Querstromfiltrieranlagen:
Querstromfiltrieranlagen
entwickelt für kontinuierliche
Trennung pathogener
Mikroorganismen, Viren, Toxinen
und Zellkulturen, gasdicht und
mit allen folgenden
Eigenschaften:
1. einer Fläche von größer
oder gleich 5 m2;
2. geeignet zur
in-situ-Sterilisation.
1CW01 Anlagen oder Anlagenteile,
die auch geeignet sind zur
Erzeugung chemischer
Kampfstoffe:
a) Chemische Anlagen oder
Anlagenteile, wie folgt, bei
denen die Flächen, die mit dem
bearbeiteten Chemikal in
Berührung stehen, aus folgenden
Materialien bestehen:
a) Nickel oder Legierungen mit
mehr als 40 Gewichtsprozent
Nickel;
b) Legierungen mit mehr als 25
Gewichtsprozent Nickel und
20 Gewichtsprozent Chrom;
c) Glas;
d) Graphit (gilt nur für
Wärmetauscher).
1. Reaktionskessel mit einem
Speicherinhalt von mehr als
0,1 m3 (100 l) und weniger
als 15 m3 (15 000 l);
2. Speichertanks und Behälter
mit einer Kapazität von mehr
als 0,1 m3 (100 l);
3. Wärmetauscher;
4. Destillierkolonnen mit einem
Durchmesser von mehr als 0,1
m;
5. Entgasungseinrichtungen oder
Kondensoren.
b) Ferngesteuerte
Fülleinrichtungen, bei denen
alle mit der Flüssigkeit in
Berührung stehenden Flächen aus
folgenden Materialien bestehen:
a) Nickel oder Legierungen mit
als als 40 Gewichtsprozent
Nickel
oder
b) Legierungen mit mehr als 25
Gewichtsprozent Nickel und
20 Gewichtsprozent Chrom.
c) Ventile mit eingebautem
Lecksuchanschluß und mehrfach
beschichtete Rohre, wie folgt,
bei denen alle mit der
Flüssigkeit in Berührung
stehenden Flächen aus folgenden
Materialien bestehen:
a) Nickel oder Legierungen mit
mehr als 40 Gewichtsprozent
Nickel
oder
b) Legierungen mit mehr als 25
Gewichtsprozent Nickel und
20 Gewichtsprozent Chrom
oder
c) Fluorpolymere
einschließlich PTFE, PVDF,
PFA.
1. Faltenbalg-Ventile
2. Membran-Ventile
3. Doppelt gedichtete Ventile
4. Mehrfach beschichtete Rohre
d) Pumpen, wie folgt, bei denen
alle mit der Flüssigkeit in
Berührung stehenden Flächen aus
folgenden Materialien bestehen:
a) Nickel oder Legierungen mit
mehr als 40 Gewichtsprozent
Nickel oder
b) Legierungen mit mehr als 25
Gewichtsprozent Nickel und
20 Gewichtsprozent Chrom
oder
c) Fluorpolymere
einschließlich PTFE, PVDF,
PFA oder
d) Tantal.
1. Doppelt gedichtete Pumpen
2. Gekapselte Pumpen
3. Magnetisch angetriebene
Pumpen
4. Membran-Pumpen
5. Faltenbalg-Pumpen
e) Verbrennungseinrichtungen,
konstruiert für Zerstörung von
Chemiewaffen oder unter
Abschnitt I genannten
Vormaterialien, mit speziellen
Manipulationseinrichtungen und
mit einer mittleren
Brennkammertemperatur von mehr
als 1 000 Grad C, in denen alle
mit Abfallprodukten in
Berührung kommenden Flächen aus
einem der folgenden Materialien
bestehen oder damit
ausgekleidet sind:
1. Nickel oder Legierungen mit
mehr als 40 Gewichtsprozent
Nickel oder
2. Legierungen mit mehr als
25 Gewichtsprozent Nickel
und 20 Gewichtsprozent Chrom
oder
3. Keramik.
f) Gaswarneinrichtungen:
1. geeignet zum Nachweis
chemischer Kampfstoffe und
in Abschnitt I genannten
Vormaterialien sowie von
Phosphor, Schwefel, Chlor,
Fluor und deren Verbindungen
mit einer Konzentration von
weniger als 0,3 mg/m3 Luft
und für kontinuierlichen
Betrieb;
2. geeignet zum Nachweis von
Verbindungen mit
Anticholinesterase-
Aktivität.
1R03 Fertigungstechnologie oder
„Fertigungsausrüstung''
(einschließlich speziell dafür konstruierte Komponenten) für
a) die Fertigung, Handhabung oder
Abnahmeprüfung von
Flüssigstoffen oder den in Nummer 1R09 beschriebenen
Treibstoffbestandteilen;
b) die Fertigung, Handhabung und Abnahmeprüfung sowie das Mischen, Härten, Gießen,
Pressen, Bearbeiten und Strangpressen von festen
Treibstoffen oder den in Nummer
1R09 beschriebenen
Treibstoffbestandteilen.
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ANMERKUNGEN:
(1) Chargenmischer oder
Durchlaufmischer (auch kontinuierliche Mischer genannt)
für das Mischen im Vakuum bei 0
bis 13 236 kPa mit
Temperaturregelung für die Mischkammer wie folgt:
Chargenmischer mit
a) einer Gesamtkapazität von
110 Litern (30 Gallonen) oder
mehr; und
b) mindestens einem exzentrisch
montierten Rührer zum Mischen
und/oder Kneten.
Durchlaufmischer mit
a) zwei oder mehr Rührern zum Mischen und/oder Kneten und
b) Öffnungsmöglichkeiten der Mischkammer
(2) Die folgenden Geräte werden
von b) abgedeckt:
a) Geräte für die Fertigung von
atomisiertem oder kugelförmigem
Metallpulver in einer
kontrollierten Umgebung,
b) Strahlmühlen zum Mahlen oder
Zerkleinern von
Ammoniumperchlorat, RDX oder
HMX.
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1R04 Folgende Geräte zur
pyrolytischen Abscheidung und Verdichtung sowie folgende
„Technologie'':
a) „Technologie'' zur Fertigung
pyrolytisch abgeleiteter
Materialien, die in einer Form,
auf einem Dorn oder einem
anderen Substrat aus
Vorstufengasen geformt werden,
die zwischen 1 300 Grad C und 2
900 Grad C bei einem Druck
zwischen 130 Pa (1 mm Hg) und
20 kPa (150 mm Hg) zerfallen,
einschließlich Technologie für
die Bildung von Vorstufengasen,
Durchflußraten und Prozeßsteuerungspläne und -
parameter.
b) Speziell konstruierte Düsen für
die oben genannten Prozesse.
c) Geräte und Prozeßsteuerungen
sowie speziell dafür
konstruierte Software,
konstruiert oder modifiziert
für die Verdichtung und Pyrolyse von Raketendüsen und Bugspitzen für
Wiedereintrittsfahrzeuge aus
Strukturverbundmaterial.
C. MATERIALIEN
1C01 Materialien, speziell
konstruiert zur Verwendung als
Absorber elektromagnetischer
Wellen oder selbstleitende
Polymere:
Materialien zur Absorbierung von
Frequenzen größer als 2 x 10
hoch 8 Hz, jedoch kleiner als
3 x 10 hoch 12 Hz, ausgenommen
folgende Materialien:
Haartypabsorber, gefertigt aus
natürlichen oder synthetischen
Fasern mit nichtmagnetischen
Zusätzen für
Absorptionszwecke;
Absorber, die keinen
magnetischen Verlust aufweisen
und deren Einfallsfläche nicht
plan ist, einschließlich
Pyramiden, Kegel, Keilflächen
und gewundene Flächen;
gefertigt aus:
Schaumstoffmaterialien
(elastisch oder nicht-elastisch) mit
Kohlenstoffzusatz oder
organischen Materialien
einschließlich
Bindemittel, die
verglichen mit Metall mehr
als 5% Echo über eine Bandbreite von mehr als +-
15% der Mittenfrequenz der
einstrahlenden Energie
liefern und Temperaturen
von mehr als 450 K (177 Grad C) nicht standhalten;
oder
Keramische Materialien,
die verglichen mit Metall
mehr als 20% Echo über
eine Bandbreite von mehr
als +-15% der Mittenfrequenz der
einstrahlenden Energie
liefern und Temperaturen
von mehr als 800 K
(527 Grad C) nicht
standhalten;
Zugfestigkeit kleiner als
7 x 10 hoch 6 N/m2; und
Druckfestigkeit kleiner als
14 x 10 hoch 6 N/m2;
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ANMERKUNG:
Prüflinge für Absorptionstests
für Nummer 1C01.a.3.a sollten ein Quadrat von mindestens
5 Wellenlängen (der Mittenfrequenz)
auf einer Seite sein und im Weitfeld des strahlenden Elements
positioniert sein.
-----------------------------------
Ebene Absorber aus
Sinterferrit mit:
einer Dichte von mehr als
4,4; und
einer maximalen
Betriebstemperatur von 548
K (275 Grad C);
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Die Ausnahmen von Nummer 1C01
gelten nicht für magnetische
Materialien für Absorptionszwecke,
wenn diese in Anstrichen enthalten
sind.
-----------------------------------
Materialien zur Absorbierung von
Frequenzen größer als 1,5 x 10
hoch 14 Hz, jedoch kleiner als
3,7 x 10 hoch 14 Hz und nicht
durchlässig für sichtbares
Licht;
eigenleitende Polymermaterialien
mit einer gesamten elektrischen
Leitfähigkeit von mehr als
10 000 S/m (Siemens/Meter) oder
einem Schichtwiderstand
(Oberflächenwiderstand) von
weniger als
100 Ohm/Flächeneinheit auf der Basis eines der folgenden
Polymere:
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Die gesamte elektrische
Leitfähigkeit und der Schichtwiderstand
(Oberflächenwiderstand) sind
mittels ÖNORM zu ermitteln.
-----------------------------------
1R05 Materialien, Vorrichtungen
und speziell konstruierte
Software für reduzierte
Observablen wie Radarreflexion,
Ultraviolett-/Infrarot-Signaturen und akustische
Signaturen (zB Stealth-Technologie) für
Anwendungen, die für die Systeme laut Nummern 9R01 oder
9R02 tauglich sind, zB:
a) Strukturelle Materialien und Beschichtungen, speziell
konstruiert für reduzierte
Radarreflexion,
b) Beschichtungen einschließlich
Anstriche, speziell konstruiert
für reduzierte oder speziell
zugeschnittene Reflexion oder
Emission im Mikrowellen-,
Infrarot- oder
Ultraviolettspektrum, mit
Ausnahme der speziellen
Verwendung für die Temperaturregelung von
Satelliten,
1C02 Metall-Legierungen,
Metall-Legierungspulver oder
legierte Materialien:
Metall-Legierungen wie folgt:
Auf Nickel oder Titan
aufbauende Legierungen in Form
von Aluminiden wie folgt, in Rohform oder als halbfertige
Produkte:
Nickelaluminide, die
10 Gewichtsprozent oder mehr
Aluminium enthalten;
Titanaluminide, die
12 Gewichtsprozent oder mehr
Aluminium enthalten;
Metall-Legierungen wie folgt,
hergestellt aus
Metall-Legierungspulver oder
aus speziellen, von Nummer
1C02.b erfaßten Materialien:
Nickellegierungen mit:
einer Spannung-Bruch-Lebensdauer von
10 000 Stunden oder mehr
bei 923 K (650 Grad C) und
einer Spannung von 550
MPa; oder
einer Ermüdung bei
niedriger Lastspielzahl
von
10 000 Zyklen oder mehr
bei 823 K (550 Grad C) und
einer maximalen Spannung
von 700 MPa;
Niobiumlegierungen mit:
einer Spannung-Bruch-Lebensdauer von
10 000 Stunden oder mehr
bei 1073 K (800 Grad C)
und einer Spannung von 400
MPa; oder
einer Ermüdung bei
niedriger Lastspielzahl
von
10 000 Zyklen oder mehr
bei 973 K (700 Grad C) und
einer maximalen Spannung
von 700 MPa;
Titanlegierungen mit:
einer Spannung-Bruch-Lebensdauer von
10 000 Stunden oder mehr
bei 723 K (450 Grad C) und
einer Spannung von 200
MPa; oder
einer Ermüdung bei
niedriger Lastspielzahl
von 10 000 Zyklen oder
mehr, bei 723 K (450 Grad C) und einer maximalen
Spannung von 400 MPa;
Aluminiumlegierungen mit
einer Zugfestigkeit von:
240 MPa oder mehr bei
473 K (200 Grad C); oder
415 MPa oder mehr bei
298 K (25 Grad C);
Magnesiumlegierungen mit
einer Zugfestigkeit von
345 MPa oder mehr und einer Abtragungsrate durch
Korrosion von weniger als
1 mm/Jahr in einer mit 3%
wässerigen
Natriumchloridlösung
gemessen gemäß ÖNORM;
-----------------------------------
ANMERKUNGEN:
Die Metall-Legierungen in Nummer 1C02.a sind solche, bei
denen das genannte Metall einen
höheren Prozentsatz an Gewicht
besitzt als jedes andere Element.
Die Spannung-Bruch-Lebensdauer
ist gemäß ÖNORM zu messen.
Die Ermüdung bei niedriger
Lastspielzahl ist gemäß ASTM-Norm
E-606 „Recommended Practice for
Constant-Amplitude Low-Cycle
Fatigue Testing'' (empfohlene
Praxis für Ermüdungsprüfung bei
konstanter Amplitude und niedriger
Lastspielzahl) oder entsprechenden
nationalen Normen zu messen. Die Prüfung ist axial bei einem
durchschnittlichen
Spannungsverhältnis gleich 1 und
einem Formfaktor (K tief t) gleich
1 vorzunehmen. Die
durchschnittliche Spannung wird wie
folgt bestimmt: größte Spannung
minus kleinster Spannung dividiert
durch größte Spannung.
-----------------------------------
Metall-Legierungspulver oder
spezielles Material für in Nummer 1C02.a erfaßte
Materialien wie folgt:
Hergestellt aus einer der
folgenden
Komponentenanordnungen:
Nickellegierungen (Ni-Al-X, Ni-X-Al), qualifiziert für
Turbinenteile oder
-komponenten, dh. mit
weniger als
3 nichtmetallischen Teilchen
(die während des Herstellungsverfahrens
eingeführt werden) größer
als 100 mym/10 hoch
9 Legierungsteilchen;
Niobiumlegierungen (Nb-Al-X
oder Nb-X-Al, Nb-Si-X oder
Nb-X-Si, Nb-Ti-X oder
Nb-X-Ti);
Titanlegierungen (Ti-Al-X oder Ti-X-Al);
Aluminiumlegierungen
(Al-Mg-X oder Al-X-Mg,
Al-Zn-X oder Al-X-Zn, Al-Fe-X oder Al-X-Fe); oder
Magnesiumlegierungen
(Mg-Al-X oder Mg-X-Al); und
-----------------------------------
ANMERKUNG:
X ist gleich einem oder mehreren Legierungselementen. römisch zehn ist gleich einem oder mehreren Legierungselementen.
-----------------------------------
Hergestellt in einer
kontrollierten Umgebung durch
eines der folgenden Verfahren:
Schmelzspinnen und Feinzerkleinerung;
Schmelzextraktion und Feinzerkleinerung; oder
Legierte Materialien in Form von nicht-feinzerkleinerten Flocken,
Bändern oder dünnen Stäben, die
in kontrollierter Umgebung durch
Splat Quenching, Schmelzspinnen
oder Schmelzextraktion
hergestellt und in der Erzeugung
von Metall-Legierungspulver oder
von in Nummer 1C02.b erfaßten
speziellen Materialien verwendet
werden;
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 1C02 erfaßt keine
Metall-Legierungen,
Metall-Legierungspulver oder
Legierungsmaterialien für
Beschichtungssubstrate.
-----------------------------------
1R06 Maraging-Stahl (Stahl, der
im allgemeinen einen hohen
Nickel- und sehr geringen
Kohlenstoffanteil sowie Zusätze
zur Altershärtung aufweist) mit
einer maximalen Zugfestigkeit
von 1,5 x 10 hoch 9 Pa oder
mehr, gemessen bei 20 Grad C,
in Form von Blechen, Platten
oder Rohren mit einer Wandstärke von kleiner oder
gleich 5,0 mm.
1R07 Wolfram, Molybdän und Legierungen dieser Metalle in
der Form einheitlich
kugelförmiger oder atomisierter
Partikel mit einem Durchmesser
von 500 mym oder weniger und
einer Reinheit von 97% oder
mehr, zur Herstellung von
Komponenten für Raketenmotoren,
dh. Hitzeschilder,
Düsenmündungen und Schubvektor-Steuerflächen.
1C03 Magnetische Metalle jeden
Typs und in jeder Form, die
eines der folgenden Merkmale
aufweisen:
Relative Anfangspermeabilität
von 120 000 oder mehr sowie eine Dicke von 0,05 mm oder weniger;
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Messungen der Anfangspermeabilität sind an
vollständig geglühten Materialien
durchzuführen.
-----------------------------------
Magnetostriktive Legierungen
mit:
einer Sättigungs-Magnetostriktion
von mehr als 5 x 10 hoch -4;
oder
einem magnetomechanischen
Kopplungsfaktor (k) von mehr
als 0,8;
oder
Amorphe Legierungsbänder mit:
einer Zusammensetzung, die
mindestens 75 Gewichtsprozent
an Eisen, Cobalt oder Nickel
aufweist, und
einer Sättigungs-Magnetinduktion
(Bs) von 1,6 T oder mehr, und:
einer Dicke von 0,02 mm oder
weniger; oder
einem spezifischen
elektrischen Widerstand von
2 x 10 hoch -4 Ohm cm oder
mehr;
1C04 Uran-Titan-Legierungen oder
Wolframlegierungen mit einer Matrix auf der Basis von Eisen,
Nickel oder Kupfer und mit allen
folgenden Merkmalen:
einer Dichte von mehr als
17,5 g/cm3;
einer Elastizitätsgrenze von
mehr als 1250 MPa;
einer äußersten Zugfestigkeit
von mehr als 1270 MPa, und
einer Längung von mehr als 8%;
1C05 Supraleitfähige
zusammengesetzte Leiter mit
einer Länge von mehr als 100 m
oder mit einer Masse von mehr
als 100 g:
Mehrfädige supraleitfähige
zusammengesetzte Leiter mit
einem oder mehreren
Niob-Titan-Filamenten:
eingebettet in eine andere
Matrix als Kupfer oder eine
auf Kupfer aufbauende
gemischte Matrix; oder
mit einer Querschnittfläche
von weniger als 0,28 x 10 hoch
-4 mm2 (dh. 6 mym im Durchmesser bei runden
Filamenten);
Supraleitfähige zusammengesetzte
Leiter, die aus einem oder
mehreren supraleitfähigen
Filamenten, ausgenommen solchen
aus Niobium-Titan, bestehen:
mit einer kritischen
Temperatur bei Magnetinduktion
gleich Null von größer als
9,85 K (-263,31 Grad C),
jedoch kleiner als 24 K
(-249,16 Grad C);
mit einem Querschnitt von
weniger als 0,28 x 10 hoch -
4 mm2; und
die ihren supraleitfähigen
Zustand bei einer Temperatur
von 4,2 K (-268,96 Grad C)
unter Einfluß eines Magnetfelds, das einer
magnetischen Induktion von
12 T entspricht, bewahren;
1C06 Flüssigkeiten und Schmiermaterialien:
Hydraulikflüssigkeiten, die als
Hauptbestandteile eine der
folgenden Verbindungen oder
Materialien enthalten:
Synthetische
Kohlenwasserstofföle oder
Silakohlenwasserstofföle mit:
einem Flammpunkt von mehr
als 477 K (204 Grad C);
einem Fließpunkt bei 239 K
(-34 Grad C) oder weniger;
einem Viskositätsindex 75
oder mehr; und
einer Wärmebeständigkeit bei
616 K (343 Grad C);
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Im Sinne der Nummer 1C06.a.1
enthalten Silakohlenwasserstofföle
ausschließlich Silicium,
Wasserstoff und Kohlenstoff.
-----------------------------------
oder
Chlorfluorkohlenwasserstoffe
mit:
einer Selbstentzündungstemperatur
von mehr als 977 K (704 Grad C);
einem Fließpunkt bei 219 K
(-54 Grad C) oder weniger;
einem Viskositätsindex 80
oder mehr; und
einem Siedepunkt bei 473 K
(200 Grad C) oder höher;
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Im Sinne der Nummer 1C06.a.2
enthalten
Chlorfluorkohlenwasserstoffe
ausschließlich Kohlenstoff, Fluor
und Chlor.
-----------------------------------
Schmiermittel, die als
Hauptbestandteile eine der
folgenden Verbindungen oder
Materialien enthalten:
Phenylen- oder
Alkylphenylen-Ether oder
Thioether oder ihre
Mischungen, die mehr als zwei
Ether- oder
Thioetherfunktionen oder
Mischungen hiervon enthalten;
oder
Fluorierte
Silikonflüssigkeiten mit einer
kinematischen Viskosität von
weniger als 5 000 mm2/s
(5 000 Zentistokes), gemessen
bei 298 K (25 Grad C);
Dämpfungs- oder
Flotationsflüssigkeiten mit
einer Reinheit von mehr als
99,8%, die weniger als
25 Teilchen mit einer Größe von
200 mym oder mehr je 100 ml
enthalten und zu mindestens 85%
aus einem der folgenden
Verbindungen oder Materialien
bestehen:
Polychlortrifluorethylen (nur
ölige und wachsartige
Abwandlungen); oder
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Im Sinne der Nummer 1C06 gilt:
Der Flammpunkt wird mittels der Cleveland Open Cup-Methode
(Flammpunkt offener Tiegel) wie
in der Norm ASTM D-92 (ÖNORM
C 1122, ÖNORM EN 57,
DIN/ISO 2592) beschrieben oder
nach entsprechenden nationalen
Normen bestimmt.
Der Fließpunkt wird mittels der
in der Norm ASTM D-97 (ÖNORM C 1153, DIN/ISO 3016)
beschriebenen Methode oder nach
entsprechenden nationalen Normen
bestimmt.
Der Viskositätsindex wird nach
der in der Norm ASTM D-2270
beschriebenen Methode oder nach
entsprechenden nationalen Normen
bestimmt.
Die Wärmebeständigkeit wird
mittels nachfolgendem
Prüfverfahren oder
entsprechender nationalen Normen
bestimmt: Zwanzig ml der
geprüften Flüssigkeit werden in
eine 46 ml große Kammer aus
rostfreiem Stahl Typ 317
gegeben, welche Kugeln mit einem Durchmesser von je 12,5 mm
(Nenndurchmesser) aus
M-10-Werkzeugstahl, 52100 Stahl
und seewasserfester Bronze (60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn) enthält.
Die Kammer wird mit Stickstoff
gereinigt, bei atmosphärischem
Druck verschlossen und die Temperatur wird auf 644 +-6 K
(371 +-6 Grad C) gebracht und
auf diesem Wert sechs Stunden
lang gehalten. Die Probe wird
dann als wärmebeständig
betrachtet, wenn nach
vollständiger Ausführung des
oben beschriebenen Verfahrens
alle folgenden Bedingungen
erfüllt werden:
Der Gewichtsverlust jeder
Kugel beträgt weniger als
10 mg/mm2 der Kugeloberfläche;
Die Änderung der
ursprünglichen Viskosität, wie
bei 311 K (38 Grad C)
bestimmt, beträgt weniger als
25%, und
Die Gesamtsäure- oder
Gesamtbasenzahl beträgt
weniger als 0,40.
Die Selbstenzündungstemperatur
(Anm.: richtig: Selbstentzündungstemperatur)Anmerkung, richtig: Selbstentzündungstemperatur)
wird mittels der in ASTM E-659
(ÖNORM C 1126) beschriebenen
Methode oder nach entsprechenden
nationalen Normen bestimmt.
-----------------------------------
1C07 Keramische Grundmaterialien,
keramische
Matrix-Verbundwerkstoffe und Vormaterialien.
Grundmaterialien aus einfachen
oder komplexen Titanboriden, die
metallische Verunreinigungen
ausgenommen beabsichtigte
Beigaben von insgesamt weniger
als 5 000 ppm, eine
durchschnittliche Teilchengröße
gleich oder kleiner als 5 mym
und nicht mehr als 10% Teilchen
mit einer Größe von mehr als
10 mym aufweisen;
Keramikmaterialien in Roh- oder
Halbfertigform, ausgenommen
Schleifmittel, zusammengesetzt
aus Titanboriden mit einer
theoretischen Dichte von 98%
oder mehr;
Keramik-Keramik-Verbundwerkstoffe mit einer Glas- oder Oxidmatrix und
verstärkt mit Fasern aus einem
der folgenden Systeme:
Keramik-Keramik-Verbundwerkstoffe mit oder ohne
einer kontinuierlichen
metallischen Phase, die fein
verteilte Teilchen oder Phasen
von faserigen oder ähnlichen
Materialien enthalten, bei denen
Carbide oder Nitride von
Silicium, Zirkon oder Bor die Matrix bilden;
Vormaterialien (das sind
spezielle polymere oder
metallo-organische Materialien)
zur Herstellung einer Phase oder
von Phasen der in Nummer 1C07.c
erfaßten Materialien wie folgt:
Polydiorgansilane (zur
Herstellung von
Siliciumkarbid);
Polysilazane (zur Herstellung von Siliciumnitriden); oder
Polycarbosilazane (zur
Herstellung von Keramiken mit
Silicium-, Kohlenstoff- und Stickstoffkomponenten);
1R08
a) Für Raketensysteme konstruierte
resaturierte, pyrolysierte (dh. Kohlenstoff-Kohlenstoff)
Materialien.
b) Feinkörnige, rekristallisierte
Graphite (mit einer Fülldichte
von mindestens 1,72 g/cm3,
gemessen bei 15 Grad C),
pyrolytische oder
faserverstärkte Graphite, die
sich für die Verwendung in Raketendüsen und Bugspitzen für
Wiedereintrittsfahrzeuge
eignen.
c) Keramische Verbundstoffe
(dielektrische Konstante unter
6 bei Frequenzen zwischen
100 Hz und 10 000 MHz) für die Verwendung in FK-Radomen sowie
siliciumkarbidverstärktes,
ungebranntes Keramikmaterial,
das sich für die Verwendung in Bugspitzen eignet.
1C08 Nicht-fluorierte polymere
Substanzen
Aromatische Polyamid-Imide;
Aromatische Polyetherimide mit
einem Glaspunkt (T tief g) von
mehr als 503 K (230 Grad C)
gemessen im Naßverfahren.
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 1C08.a erfaßt keine nicht
schmelzenden Formpressungspulver
oder Gußformen;
-----------------------------------
Thermoplastische
Flüssigkristall-Copolymere mit
einer Erweichungstemperatur von
mehr als 523 K (250 Grad C),
gemessen gemäß ASTM D-648,
Methode A, (DIN 53461 = ISO 75)
oder gemäß entsprechender
nationaler Normen, bei einer Belastung von 1,82 N/mm2 und
zusammengesetzt aus:
bei einem der folgenden
Stoffe:
Phenylen, Biphenylen oder
Naphthalin; oder
Methyl-, tertiär-Butyl- oder phenylsubstituiertes
Phenylen, Biphenylen oder
Naphthalin, und
einer der folgenden Säuren:
6-Hydroxy-2-Naphthoesäure;
oder
Polyarylen-Ether-Ketone wie
folgt:
Polyether-Ether-Keton (PEEK);
Polyether-Keton-Keton (PEKK);
Polyether-Keton-Ether-Keton-Keton (PEKEKK);
Polyarylen-Sulfide, bei denen
die Arylengruppe ein Biphenylen, Triphenylen oder
eine Zusammensetzung hiervon
ist;
Polybiphenylenethersulfon;
1C09 Unbehandelte fluorierte
Verbindungen
Copolymere aus Vinylidenfluorid
mit 75% oder mehr
Beta-Gefügeausbildung ohne
Dehnung;
Fluorierte Polyimide mit 30%
oder mehr gebundenem Fluor;
Fluorierte Phosphazen-Elastomere
mit 30% oder mehr gebundenem
Fluor;
1C10 Faserige und fadenförmige
Materialien, die in organischer
Matrix-, metallischer Matrix- oder Kohlenstoff-Matrix-Verbundwerkstoff-Strukturen oder
Laminaten verwendet werden
können:
Organische faserige und
fadenförmige Materialien,
ausgenommen Polyethylen, mit:
einem spezifischen Modul von
mehr als 12,7 x 10 hoch 6 m,
und
einer spezifischen
Zugfestigkeit von mehr als
23,5 x 10 hoch 4 m;
Faserige und fadenförmige
Kohlenstoffmaterialien mit:
einem spezifischen Modul von
mehr als 12,7 x 10 hoch 6 m,
und
einer spezifischen
Zugfestigkeit von mehr als
23,5 x 10 hoch 4 m;
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Eigenschaften der in Nummer
1C10.b beschriebenen Materialien
sollten mit Hilfe der vom SACMA
empfohlenen Methoden SRM 12 bis 17
oder entsprechenden nationalen
Zugtests, wie zB dem Japanischen
Industriestandard JIS-R-7601,
Absatz 6.6.2. bestimmt werden und
auf einem Losmittel beruhen.
-----------------------------------
Anorganische faserige oder
fadenförmige Materialien mit:
einem spezifischen Modul von
mehr als 2,54 x 10 hoch 6 m;
und
einem Schmelz-, Zersetzungs- oder Sublimationspunkt vom
mehr als 1 922 K (1 649 Grad C) in einer inerten Umgebung;
ausgenommen
diskontinuierliche,
mehrphasige, polykristalline Aluminiumoxidfasern in Form
von Schnittfasern oder
regellosen Matten, die
3 Gewichtsprozent oder mehr
Siliciumdioxid enthalten und
ein spezifisches Modul von
weniger als 10 x 10 hoch 6 m
aufweisen;
Molybdän und Molybdän-Legierungsfasern;
Diskontinuierliche
Keramikfasern mit einem Schmelz-, Zersetzungs- oder
Sublimationspunkt in inerter
Umgebung von kleiner als 2
043 K (1 770 Grad C);
Faserige und fadenförmige
Materialien:
bestehend aus einem der
folgenden Stoffe:
Polyetherimide, erfaßt in Nummer 1C08.a; oder
Materialien, erfaßt in Nummer 1C08.b, c, d, e oder
f; oder
bestehend aus Materialien,
erfaßt in Nummer 1C10.d.1.a
oder b und vermengt mit
anderen von Nummer 1C10.a, b
oder c erfaßten Fasern;
Harz- oder teerimprägnierte
Fasern (Prepregs), metall- oder kohlenstoffbeschichtete Fasern
(Vorform) oder
Kohlenstoff-Faser-Vorformen
hergestellt aus:
faserigen oder fadenförmigen
Materialien, erfaßt in Nummer
1C10.a, b oder c; oder
organischen oder
Kohlenstoff-Materialien:
mit einer spezifischen
Zugfestigkeit von mehr als
17,7 x 10 hoch 4 m;
mit einem spezifischen Modul
von mehr als 10,15 x 10 hoch
6 m;
nicht erfaßt von Nummer
1C10.a oder b, und
falls imprägniert mit von
Nummer 1C08 oder 1C09.b
erfaßten Materialien oder
mit Phenol- oder
Epoxidharzen, die einen Glaspunkt (Tg) von mehr als
383 K (110 Grad C)
aufweisen;
f) Andere Materialien: 1R09 Andere Materialien:
a) Antriebsstoffe:
1. Hydrazin mit einer
Konzentration von mehr als
70% und seine Derivate,
einschließlich
Monomethylhydrazin (MMH);
2. Unsymmetrisches
Dimethylhydrazin (UDMH);
3. Ammoniumperchlorat;
4. Kugelförmiges
Aluminiumpulver, dessen
Partikel einen einheitlichen
Durchmesser von weniger als
500 x 10 hoch -6 m (500 mym)
und einen Aluminiumgehalt
von mindestens 97% haben;
5. Metallische Treibstoffe mit
einer Partikelgröße von
weniger als 500 x 10 hoch -6
m (500 mym), die
kugelförmig, atomisiert,
rundlich, geflockt oder
gemahlen sind und zu
mindestens 97% aus einem der
folgenden Elemente bestehen:
Zirkonium, Beryllium, Bor,
Magnesium, Zink und deren
Legierungen sowie
Mischmetall;
6. Nitroamine
(Cyclotetramethylen-
Tetranitramin (HMX),
Cyclotetramethylen-
Trinitramin (RDX));
7. Perchlorate, Chlorate oder
Chromate, die mit
Metallpulver oder anderen
Hochenergie-Brennstoff-
Komponenten gemischt sind;
8. Carborane, Decarborane,
Pentaborane und deren
Derivate;
9. Flüssige Oxydatoren, wie
folgt:
a) Distickstofftrioxid;
b) Stickstoffdioxid/
Distickstofftetroxid;
c) Distickstoffpentoxid;
d) Inhibierte rotrauchende
Salpetersäure (IRFNA);
e) Verbindungen aus Fluor und
einem oder mehreren
Halogenen, Sauerstoff und
Stickstoff.
b) Polymere Substanzen:
1. Carboxylbegrenztes
Polybutadien (CTPB);
2. Hydroxylbegrenztes
Polybutadien (HTPB);
3. Glycidylazidpolymer (GAP);
4. Polybutadienacrylsäure
(PBAA);
5. Polybutadienacrylnitril
(PBAN).
c) Composittreibstoffe,
einschließlich gepreßter
Treibstoffe mit Leimbindern und
Treibstoffe mit nitrierten
Bindern;
d) Andere hochenergetische
Treibstoffe wie zB Borschlamm
mit einer Energiedichte von
40 x 10 hoch 6 J/kg oder mehr;
e) Andere Treibstoff-Additive und
-Mittel:
1. Bindemittel, wie folgt:
a) Tris(1-(2-methyl)
aziridinyl)phosphinoxid
(MAPO);
b) Trimesoyl-1(2-ethyl)
aziridin (HX-868 - BITA);
c) „Tepanol'' (HX-878),
Reaktionsprodukt aus
Tetraethylenpentamin,
Acrylnitril und Glycidol;
d) „Tepan'' (HX-879),
Reaktionsprodukt aus
Tetraethylenpentamin und
Acrylnitril;
e) Polyfunktionelle
Aziridenamide mit
Isophthal-, Trimesin-,
Isocyanur- oder
Trimethyladipin-Hauptgruppe
(backbone), die auch eine
2-methyl- oder
2-ethylaziridin-Gruppe
(HX-752, HX-874 und
HX-877).
2. Härtungsmittel und
Katalysatoren, wie folgt:
a) Triphenylbismut (TPB);
b) Isophorondiisocyanat
(IPDI).
3. Brennratenmodifizierer, wie
folgt:
a) Catocen;
b) N-Butylferrocen;
c) Butacen;
d) Andere Ferrocenderivate.
4. Nitrat-Ester und
Nitrat-Weichmacher, wie
folgt:
a) Triethylenglycoldinitrat
(TEGDN);
b) Trimethylolethantrinitrat
(TMETN);
c) 1,2,4-Butantrioltrinitrat
(BTTN);
d) Diethylenglycoldinitrat
(DEGDN).
5. Stabilisatoren, wie folgt:
a) 2-Nitrodiphenylamin (NDPA);
b) N-Methyl-p-nitroanilin
(MNA).
D. SOFTWARE
1D02 Software zur Entwicklung von
aus organischer Matrix,
Metallmatrix oder
Kohlenstoffmatrix bestehenden
Laminaten oder
Verbundwerkstoffen.
E. TECHNOLOGIE
1E01 Technologie gemäß der
„General Technology Note''
(Allgemeine Technologienote) zur
Entwicklung oder Produktion von
Einrichtungen oder Materialien,
die von den Nummern 1A01.b,
1A01.c, 1A02, 1A03, 1B oder 1C
erfaßt sind.
1E02 Andere Technologie 1R10 Technische Daten
a) Technologie zur Entwicklung oder (einschließlich
Produktion von Verarbeitungsmaschinen) und
Polybenzothiazolen oder Verfahren zur Temperatur-,
Polybenzoxazolen; Druck- oder Atmosphärenregelung
b) Technologie zur Entwicklung oder in Autoklaven oder Hydroklaven,
Produktion von sofern sie für die Fertigung
Fluorelastomer-Verbindungen, die von Verbundstoffen oder
mindestens ein teilweise verarbeiteten
Vinylether-Monomer enthalten; Verbundstoffen eingesetzt
c) Technologie zur Konstruktion werden.
oder Produktion der folgenden
Grundmaterialien oder
Keramikmaterialien:
1. Grundmaterialien, die
sämtliche folgende
Eigenschaften aufweisen:
a) eine der folgenden
Zusammensetzungen:
1. einfache oder komplexe
Oxide aus Zirkonium und
komplexe Oxide aus
Silicium oder Aluminium;
2. Einfache Nitride aus Bor
(kubische kristalline
Formen);
3. Einfache oder komplexe
Carbide aus Silicium oder
Bor; oder
4. Einfache oder komplexe
Nitride aus Silicium;
b) Insgesamte metallische
Verunreinigung, ausgenommen
beabsichtigte Beigaben,
weniger als:
1. 1 000 ppm für einfache
Oxide oder Carbide; oder
2. 5 000 ppm für komplexe
Verbindungen oder einfache
Nitride, und
c) 1. mit einer
durchschnittlichen
Teilchengröße gleich oder
weniger als 5 mym und nicht
mehr als 10% der Teilchen
mit einer Größe von mehr als
10 mym; oder
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Bei Zirkoniumerde betragen diese
Grenzwerte 1 mym bzw. 5 mym;
-----------------------------------
2. a) Plättchen mit einem
Länge-Dicke-Verhältnis von
mehr als 5;
b) Haarkristalle mit einem
Länge-Dicke-Verhältnis vom
mehr als 10 bei
Durchmessern von weniger
als 2 mym; und
c) Kontinuierliche Fasern
oder Schnittfasern mit
weniger als 10 mym im
Durchmesser.
2. Keramikmaterialien,
ausgenommen Schleifmittel,
bestehend aus in Nummer
1E02.c.1. beschriebenen
Materialien;
d) Technologie zur Produktion von
aromatischen Polyamidfasern;
e) Technologie zur Installation,
Wartung oder Reparatur von in
Nummer 1C01 erfaßten
Materialien;
f) Technologie zur Reparatur von in
Nummer 1A02, 1C07.c oder 1C07.d
erfaßten Materialien.
2 - MATERIALBEARBEITUNG
--------------------------------------------------------------------
A) GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE ---------------------------------
ANMERKUNG:
Die Nummern 2R01 bis 2R03
erfassen Einrichtungen, die
entwickelt sind für den
Gebrauch in Raketensystemen der
Nummer 9R01.
---------------------------------
2A01 Kugellager oder feste
Rollenlager, ausgenommen
Kegelrollenlager, mit vom
Hersteller spezifizierten
Toleranzen gemäß ABEC 7,
ABEC 7P, ABEC 7T oder ISO
Normklasse 4 (ÖNORM M 6315/2,
ÖNORM M 6318/1, 2 und 3) oder
höherwertig (oder entsprechenden
nationalen Normen) und mit einem
der folgenden Merkmale:
a) Ringe, Kugeln oder Rollen aus
Monel oder Beryllium;
b) hergestellt für einen Einsatz
bei Betriebstemperaturen über
573 K (300 Grad C), entweder
durch Verwendung besonderer
Materialien oder durch besondere
Wärmebehandlung; oder
c) mit Schmierelementen oder
Komponentenabänderungen, die
laut Herstellerspezifikationen
speziell für einen Betrieb der
Kugellager bei Geschwindigkeiten
von mehr als 2,3 Mio. DN
konstruiert sind;
2A02 Andere Kugellager oder feste
Rollenlager, ausgenommen
Kegelrollenlager, mit vom
Hersteller spezifizierten
Toleranzen gemäß ABEC 9, ABEC 9P
oder ISO Normklasse 2 oder
höherwertig (oder entsprechenden
nationalen Normen).
2A03 Feste Kegelrollenlager mit
vom Hersteller spezifizierten
Toleranzen gemäß ANSI/AFBMA
Klasse 00 (Zoll) oder Klasse A
(metrisch) oder höherwertig
(ÖNORM M 6315/2, ÖNORM M 6318/1,
2 und 3) (oder entsprechenden
nationalen Normen) und mit einem
der folgenden Merkmale:
a) mit Schmierelementen oder
Komponentenabänderungen, die
laut Herstellerspezifikationen
speziell für einen Betrieb der
Kugellager bei Geschwindigkeiten
von mehr als 2,3 Mio DN
konstruiert sind; oder
b) hergestellt sind für einen
Einsatz bei Betriebstemperaturen
unter 219 K (-54 Grad C) oder
über 423 K (150 Grad C);
2A04 Gasgeschmierte Folienlager,
hergestellt für einen Einsatz
bei Betriebstemperaturen von
561 K (288 Grad C) oder höher
und einer Belastungskapazität
von mehr als 1 MPa.
2A05 Aktiv magnetisch geführte
Lagersysteme.
2A06 Gewebeausgekleidete
selbsteinstellende Gleitlager
oder gewebeausgekleidete
Achsgleitlager, hergestellt für
einen Einsatz bei
Betriebstemperaturen unter 219 K
(-54 Grad C) oder über 423 K
(150 Grad C).
-----------------------------------
ANMERKUNGEN:
1. DN ist das Produkt aus dem
Lagerbohrungsdurchmesser in mm und
der Rotationsgeschwindigkeit in UPM
(U/min).
2. Betriebstemperaturen
beinhalten auch solche
Temperaturen, die erhalten werden,
wenn eine Gasturbine nach Betrieb
zum Stillstand gekommen ist.
-----------------------------------
B) PRÜF- UND
FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN
2B01 Numerische Steuerungen,
Bewegungssteuerplatinen,
speziell konstruiert für
numerische Steuerungsanwendungen
bei Werkzeugmaschinen,
Werkzeugmaschinen und speziell
hierfür konstruierte Bauteile:
-----------------------------------
ANMERKUNGEN:
1. Sekundäre parallele
Bahnachsen, zB die w-Achse an
horizontalen Bohrwerken oder eine
sekundäre Drehachse, deren
Mittellinie parallel zur
Hauptdrehachse verläuft, werden
nicht zur Gesamtzahl der Bahnachsen
hinzugezählt.
ANMERKUNG:
Drehachsen müssen nicht über
360 Grad drehen. Eine Drehachse
kann von einer linearen Vorrichtung
angetrieben werden, zB einer
Schraube oder einer Zahnstange.
2. Die Nomenklatur für Achsen muß
mit der Internationalen Norm
ISO 841 „Numerische
Steuerungsmaschinen - Nomenklatur
für Achse und Triebwerk''
(DIN 66217) übereinstimmen.
-----------------------------------
a) Numerische Steuerungen für
Werkzeugmaschinen wie folgt,
sowie speziell hierfür
konstruierte Bauteile:
1. die mehr als vier
Interpolationsachsen haben,
die zur Bahnsteuerung simultan
koordiniert werden können;
oder
2. die zwei, drei oder vier
Interpolationsachsen haben,
die zur Bahnsteuerung simultan
koordiniert werden können; und
a) geeignet sind, mittels
Echtzeitverarbeitung von
Daten während der
Bearbeitung den Werkzeugweg,
die Vorschubrate und die
Spindeldaten abzuändern
durch:
1. automatische Berechnung
und Änderung von
Teileprogrammdaten für das
Bearbeiten in zwei oder
mehr Achsen mittels
Meßzyklen und Zugriffes
auf Quelldaten; oder
2. adaptive Steuerung mit
mehr als einer gemessenen
physikalischen Variablen
und deren Verarbeitung
mittels eines
Rechenmodells (Strategie),
um zur Optimierung des
Prozeßablaufes eine oder
mehrere
Bearbeitungsanweisungen zu
ändern;
b) geeignet sind, direkt
(on-line) CAD-Daten zur
internen Aufbereitung von
Maschinenanweisungen zu
empfangen und zu
verarbeiten; oder
c) geeignet sind, ohne
Abänderung und gemäß den
technischen Spezifikationen
des Herstellers zusätzliche
Platinen aufzunehmen, die
eine über die in Nummer 2B01
geregelten Werte
hinausgehende Erhöhung der
Anzahl an
Interpolationsachsen, welche
zur Bahnsteuerung simultan
koordiniert werden können,
ermöglichen würden, selbst
wenn sie diese zusätzlichen
Platinen nicht enthalten;
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 2B01.a erfaßt keine
numerischen Steuerungen, die
a) für nicht von dieser Liste
erfaßte Maschinen abgeändert und
in solche eingebaut wurden; oder
b) speziell für nicht von dieser
Liste erfaßte Maschinen
konstruiert wurden.
-----------------------------------
b) Bewegungssteuerplatinen,
speziell konstruiert für
Werkzeugmaschinen und mit einem
der folgenden Merkmale:
1. Interpolation von mehr als
vier Achsen;
2. geeignet zur
Echtzeitverarbeitung, wie in
Nummer 2B01.a.2.a beschrieben;
oder
3. geeignet zum Empfang und zur
Verarbeitung von CAD-Daten,
wie in Nummer 2B01.a.2.b
beschrieben;
c) Werkzeugmaschinen für abtragende
oder spanende Bearbeitung von
Metallen, Keramiken oder
Verbundwerkstoffen, die gemäß
den technischen Spezifikationen
des Herstellers mit
elektronischen Vorrichtungen zur
simultanen Bahnsteuerung auf
zwei oder mehr Achsen
ausgerüstet werden können, wie
folgt:
1. Werkzeugmaschinen zum Drehen,
Schleifen, Fräsen oder jeder
Kombination hiervon, die:
a) zwei oder mehr Achsen haben,
die simultan zur
Bahnsteuerung koordiniert
werden können, und
b) eines der folgenden Merkmale
haben:
1. zwei oder mehr für eine
Bahnbewegung geeignete
Drehachsen;
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Die c-Achse an
Koordinatenschleifmaschinen, die
verwendet wird, um die
Schleifscheiben normal zur
Arbeitsfläche zu halten, wird nicht
als Drehachse angesehen.
-----------------------------------
2. eine oder mehrere
bewegliche Spindeln;
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 2B01.c.1.b.2. gilt nur für
Werkzeugmaschinen zum Schleifen und
Fräsen.
-----------------------------------
3. Planlaufabweichung in
einer Umdrehung der
Spindel weniger (besser)
als 0,0006 mm
Gesamtmeßuhrausschlag (TIR
- Total Indicator
Reading);
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 2B01.c.1.b.3. gilt nur für
Werkzeugmaschinen zum Drehen.
-----------------------------------
4. Rundlaufabweichung in
einer Umdrehung der
Spindel besser als
0,0006 mm
Gesamtmeßuhrausschlag;
5. Positioniergenauigkeit mit
allen verfügbaren
Kompensationen besser als:
a) 0,001 Grad auf jeder
Rotationsachse; oder
1. 0,004 mm entlang jeder
linearen Achse
(Gesamtpositionierung) bei
Schleifmaschinen;
2. 0,006 mm entlang jeder
linearen Achse
(Gesamtpositionierung) bei
Dreh- und Fräsmaschinen;
oder
6. a) eine
Positioniergenauigkeit
besser als 0,007 mm; und
b) eine Schlittenbewegung
aus der Ruhelage für alle
Schlitten innerhalb 20%
einer
Bewegungsbefehleingabe von
weniger als 0,5 mym;
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 2B01.c.1.b.5. erfaßt keine
Fräs- oder Drehwerkzeugmaschinen
mit einer Positioniergenauigkeit
entlang einer Achse mit allen
verfügbaren Kompensationen gleich
oder größer (schlechter) als
0,005 mm.
Kleinstschritt der Bewegungsprüfung
(Schlittenbewegung aus Ruhelage):
Die Prüfung wird nur dann
durchgeführt, wenn die
Werkzeugmaschine mit einer
Steuerung ausgestattet ist, deren
kleinster Schritt weniger (besser)
als 0,5 mym ist.
Bereiten Sie die Maschine zur
Prüfung gemäß Norm ISO 230.2
Absätze 3.1, 3.2 und 3.3
(DIN/ISO 230 Teil 2 E) vor.
Führen Sie die Prüfung auf jeder
Achse (jedem Schlitten) der
Werkzeugmaschine wie folgt durch:
1. Bewegen Sie die Achse über
mindestens 50% des Höchstweges
in die Plus- und Minusrichtungen
zweimal bei höchster
Vorschubgeschwindigkeit, im
Schnellgang oder im Langsamgang;
2. Warten Sie mindestens
10 Sekunden;
3. Geben Sie mittels manueller
Dateneingabe den kleinsten
programmierbaren Schritt der
Steuerung ein;
4. Messen Sie die Achsenbewegung;
5. Deaktivieren Sie die Steuerung
mit Hilfe der
Servo-Nullstellung, eines
Rücksetzens oder jeder anderen
Maßnahme, die jedes Signal
(Spannung) im Regelkreis löscht;
6. Wiederholen Sie die Schritte 2
bis 5 fünfmal, zweimal in der
Richtung des Achsweges und
dreimal in der entgegengesetzten
Richtung des Achsweges, und zwar
für insgesamt sechs Prüfpunkte;
7. Beträgt die Achsbewegung bei
vier der sechs Prüfpunkte
zwischen 80% und 120% der
kleinsten programmierbaren
Eingabe, ist die Maschine
ausfuhrbewilligungspflichtig.
Bei Drehachsen wird die Messung
200 mm vom Rotationsmittelpunkt
entfernt vorgenommen.
ANMERKUNGEN:
1. Nummer 2B01.c.1. erfaßt keine
Rundschleifmaschinen für Außen-,
Innen- sowie
Außen/Innen-Schleifen, die alle
folgenden Merkmale aufweisen:
a) nicht-spitzenlose
Schleifmaschinen (Schuhtyp);
b) beschränkt auf Rundschleifen;
c) maximaler
Werkstück-Außendurchmesser
oder Werkstücklänge von
150 mm;
d) nur zwei Achsen, die simultan
zur Bahnsteuerung koordiniert
werden können; und
e) keine c-Bahnachse.
2. Nummer 2B01.c.1. erfaßt keine
Maschinen, die speziell als
Koordinatenschleifmaschinen
konstruiert sind und beide der
folgenden Merkmale aufweisen:
a) Achsen beschränkt auf x, y, c
und a, wobei die c-Achse dazu
verwendet wird, die
Schleifscheibe normal auf die
Arbeitsfläche zu halten und
die a-Achse zum Schleifen von
Mantelkurven konfiguriert ist;
und
b) eine Rundlaufabweichung der
Spindel nicht kleiner (nicht
besser) als 0,0006 mm.
3. Nummer 2B01.c.1. erfaßt keine
Werkzeugschleifmaschinen, die
alle folgenden Merkmale
aufweisen:
a) geliefert als komplette Anlage
mit speziell konstruierter
Software zur Fertigung von
Werkzeugen;
b) nicht mehr als zwei simultan
für eine Bahnsteuerung
koordinierbare Drehachsen;
c) Rundlaufabweichung in einer
Umdrehung der Spindel nicht
kleiner (nicht besser) als
0,0006 mm
Gesamtmeßuhrausschlag; und
d) die Positioniergenauigkeit mit
allen verfügbaren
Kompensationen ist weniger
(nicht besser) als:
1. 0,004 mm entlang jeder
linearer Achsen für
Gesamtpositionierung; oder
2. 0,001 Grad für Drehachsen.
-----------------------------------
2B02 Nicht numerisch gesteuerte
Werkzeugmaschinen zur Erzeugung
optisch hochwertiger
Oberflächen:
a) Drehmaschinen mit einem
einschneidigen Werkzeug und mit
allen nachstehenden Merkmalen:
1. Positioniergenauigkeit des
Schlittens weniger (besser)
als 0,0005 mm je 300 mm Weg;
2. Schlittenpositionier-
Wiederholgenauigkeit in beiden
Richtungen weniger (besser)
als 0,00025 mm je 300 mm Weg;
3. Rundlaufabweichung und
Planlaufabweichung der Spindel
weniger (besser) als 0,0004 mm
Gesamtmeßuhrausschlag;
4. Winkelablenkung der
Schlittenbewegung (Scher-,
Rollkreis- und Rollwinkel)
weniger (besser) als
2 Bogensekunden
Gesamtmeßuhrausschlag über
vollen Weg; und
5. vertikale Geradlinigkeit
weniger (besser) als 0,001 mm
je 300 mm Weg;
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Die Schlittenpositionier-
Wiederholgenauigkeit R in beide
Richtungen einer Achse ist der
Höchstwert aus der
Positionierwiederholgenauigkeit an
jedem Punkt entlang oder um die
Achse und wird gemäß den in Teil
2.11 der Norm ISO 230-2: 1988
spezifizierten Verfahren und
Bedingungen bestimmt (DIN/ISO 230
Teil 2 E).
-----------------------------------
b) Schlagfräsmaschinen mit beiden
folgenden Merkmalen:
1. Rundlaufabweichung und
Planlaufabweichung der Spindel
weniger (besser) als 0,0004 mm
Gesamtmeßuhrausschlag, und
2. Winkelablenkung der
Schlittenbewegung (Scher-,
Rollkreis- und Rollwinkel)
weniger (besser) als
2 Bogensekunden
Gesamtmeßuhrausschlag;
2B03 Numerisch gesteuerte oder
manuell zu bedienende
Werkzeugmaschinen, speziell
konstruiert zum Fräsen,
Endbearbeiten, Schleifen oder
Honen der folgenden Klassen von
gehärteten (Rc = 40 oder mehr)
Kegelrad- oder
Parallelachsengetrieben, sowie
speziell hierfür konstruierte
Bauteile, Steuerungen und
Zubehöre:
a) gehärtete Kegelradgetriebe mit
einer Güte besser als AGMA 13
(entsprechend ISO 1328
Klasse 4); oder
b) gehärtete Stirnrad-,
Schraubenrad- und
Doppelschraubenradgetriebe mit
einem Rollkreisdurchmesser von
mehr als 1250 mm und einer
Spurkranzbreite von 15% des
Rollkreisdurchmessers oder
größer mit einer Güte
entsprechend AGMA 14 oder besser
(entsprechend ISO 1328
Klasse 3);
2B04 Isostatische Warmpressen wie
folgt, sowie speziell hierfür
konstruierte Prägestempel,
Modelle, Bauteile, Zubehör und
Steuerungen:
2R01 Isostatische Pressen mit den
folgenden Merkmalen:
a) Maximaler Arbeitsdruck von a) mit einer Temperaturregelung
69 MPa (10 000 psi) oder höher. innerhalb der Druckkammer und
mit einem Innendurchmesser von
406 mm oder mehr, und
b) mit: b) Konstruiert, um eine
1. einem maximalen Arbeitsdruck kontrollierte Hitzeumgebung von
von mehr als 207 MPa; 600 Grad C oder mehr zu
2. einer geregelten erreichen und
Arbeitstemperatur von mehr aufrechtzuerhalten und
als 1 773 K (1 500 Grad C); c) eine Kammer mit einem
oder Innendurchmesser von 254 mm (10
3. einer Vorrichtung zur Inches) oder mehr.
Kohlenwasserstoff-
Imprägnierung und zum
Entfernen gasförmiger
Restrückstände;
2R02 Öfen zur chemischen
Abscheidung, die für die
Verdichtung von Kohlenstoff-
Kohlenstoff-Verbundstoffen
konstruiert oder modifiziert
wurden.
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Die Kammerinnenabmessung ist
jene, in der sowohl die
Arbeitstemperatur als auch der
Arbeitsdruck erreicht werden und
keine Befestigungsvorrichtungen
beinhaltet. Diese Abmessung ist die
kleinere von entweder dem
Innendurchmesser der Druckkammer
oder dem Innendurchmesser der
isolierten Brennkammer, je nachdem,
welche der beiden Kammern sich in
der anderen befindet.
-----------------------------------
2B05 Ausrüstungen, speziell
konstruiert zum Auftragen,
Bearbeiten und zur
Bearbeitungssteuerung von
anorganischen Belägen,
Beschichtungen und
Oberflächenveränderungen wie
folgt, für nicht-elektronische
Substrate, sowie speziell
hierfür konstruierte Bauteile
zur maschinellen Beförderung,
Positionierung, Bedienung und
Steuerung.
a) Speicherprogrammierbare (SPC)
Ausrüstung für die chemische
Beschichtung aus der Gasphase
(CVD) mit beiden folgenden
Merkmalen:
1. Verfahren abgeändert für:
a) pulsierendes CVD;
b) thermische Zersetzung
mittels Keimbildung (CNTD);
oder
c) plasmaverstärktes oder
plasmagestütztes
CVD-Verfahren; und
2. a) mit eingebauten Hochvakuum-
(gleich oder weniger als 0,01
Pa) Rotationsdichtungen; oder
b) mit im Gerät integrierter
In-situ-
Schichtdickenkontrolle;
b) Speicherprogrammierbare
Ionenimplantations-Anlagen mit
Strahlströmen von 5 mA oder
mehr;
c) Speicherprogrammierbare EB-PVD-
(Electron Beam Physical Vapor
Deposition)-Anlagen mit
folgenden Einbauten:
1. Stromversorgungen ausgelegt
für über 80 kW;
2. mit einem eingebauten
Laser-Regelsystem für den
Stand des Flüssigkeitsbads,
das die
Vorschubgeschwindigkeit des
Rohblocks genau regelt, und
3. computergesteuerte
Kontrollvorrichtung, die nach
dem Prinzip der
Photolumineszenz der im
Verdampfungsstrom ionisierten
Atome arbeitet, zur Steuerung
der Sedimentationsrate einer
Beschichtung, die zwei oder
mehr Elemente enthält;
d) Speicherprogrammierbare
Plasmaspritz-
Fertigungsausrüstung mit einem
der folgenden Merkmale:
1. betrieben in geregelter
Niederdruckumgebung (gleich
oder weniger als 10 kPa,
gemessen über und innerhalb
300 mm des
Spritzpistolenausgangs) in
einer Vakuumkammer, die bis zu
0,01 Pa vor dem Spritzprozeß
evakuiert werden kann; oder
2. mit im Gerät integrierter In-
situ-Schichtdickenregelung;
e) Speicherprogrammierbare
Fertigungsausrüstung zum
Sputtern, ausgelegt für
Stromdichten von 0,1 nA/mm
hoch 2 oder höher bei einer
Sedimentationsrate von 15
mym/Stunde oder mehr;
f) Speicherprogrammierbare
Fertigungsausrüstung zur
Lichtbogensedimentation mit
eingebautem Gitter aus
Elektromagneten zum Steuern des
Brennpunktes auf der Kathode;
g. Speicherprogrammierbare
Fertigungsausrüstung zum
Ionenbeschichten, die eine
In-situ-Messung folgender
Parameter ermöglichen:
1. Schichtdicke auf dem Substrat
und Wachstumsregelung; oder
2. optische Eigenschaften;
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 2B05.g erfaßt keine
Standard-
Ionenbeschichtungsausrüstungen für
Fräs- oder Schneidwerkzeuge.
-----------------------------------
2B06 Koordinaten-Meßmaschinen oder
Meßsysteme oder Ausrüstungen wie
folgt:
a) Computergesteuerte, numerisch
gesteuerte oder
speicherprogrammierbare
Koordinaten-Meßmaschinen, die
beide der folgenden Merkmale
aufweisen:
1. zwei oder mehr Achsen, und
2. eine eindimensionale
Längen-Meßungenauigkeit gleich
oder weniger (besser) als
(1,25 + L/1 000) mym, geprüft
mit einem Prüfling mit einer
Genauigkeit von weniger
(besser) als 0,2 mym (L ist
die gemessene Länge in mm);
b) Linear- und
Winkel-Meßinstrumente wie folgt:
1. Linearmeßinstrumente mit einer
der folgenden Eigenschaften:
a) Berührungslose Meßsysteme
mit einer Auflösung gleich
oder weniger (besser) als
0,2 mym innerhalb eines
Meßbereiches bis zu 0,2 mm;
b) Linear-Spannungs-Differenz-
Transformatoren mit beiden
der folgenden Merkmale:
1. Linearität gleich oder
kleiner (besser) als 0,1%
innerhalb eines
Meßbereichs bis zu 5 mm,
und
2. Drift gleich oder kleiner
(besser) als 0,1%/Tag bei
einer Standard-Prüfraum-
Umgebungstemperatur +-1 K;
oder
c) Meßsysteme mit beiden der
folgenden Merkmale:
1. ausgestattet mit einem
Laser, und
2. die mindestens 12 Stunden
lang über einen
Temperaturbereich von
+-1 K um eine
Standardtemperatur und bei
einem Standarddruck
folgendes beibehalten:
a) eine Auflösung über
ihren gesamten Meßbereich
von 0,1 mym oder weniger
(besser), und
b) eine Meßungenauigkeit
gleich oder weniger
(besser) als (0,2 +
L/2 000) mym (L ist die
gemessene Länge in mm);
2. Winkelmeßinstrumente mit einer
Winkelpositionsabweichung
gleich oder weniger (besser)
als 0,00025 Grad;
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 2B06.b.2 erfaßt nicht
optische Instrumente, wie zB
Autokollimatoren, die parallel
gerichtetes Licht zum Erkennen von
Winkelfehlern eines Spiegels
verwenden.
-----------------------------------
c) Systeme zur simultanen
Linear-Winkel-Kontrolle von
Halbschalen, die beide der
folgenden Merkmale aufweisen:
1. Meßungenauigkeit entlang einer
linearen Achse gleich oder
kleiner (besser) als 3,5 mym
je 5 mm; und
2. Winkelpositionsabweichung
gleich oder kleiner (besser)
als 0,02 Grad;
d) Ausrüstungen zur Messung von
Oberflächenfehlern, die die
optische Streuung als eine
Winkelfunktion mit einer
Empfindlichkeit von 0,5 nm oder
weniger (besser) messen;
-----------------------------------
ANMERKUNGEN:
1. Werkzeugmaschinen, die als
Meßmaschinen verwendet werden
können, sind dann erfaßt, wenn
sie den für die
Werkzeugmaschinenfunktion oder
die Meßmaschinenfunktion
spezifizierten Kriterien
entsprechen oder diese
überschreiten.
2. Eine in Nummer 2B06 beschriebene
Maschine ist dann erfaßt, wenn
die Grenzwerte an irgendeinem
Punkt innerhalb des
Betriebsbereiches überschritten
werden.
3. Der zur Bestimmung der
Meßungenauigkeit verwendete
Meßtaster einer
Koordinaten-Meßmaschine ist
definiert in VDI/VDE 2617, Teile
2, 3 und 4 (teilw. ÖNORM
M 1384).
4. Alle Meßwerte in Nummer 2B06
stellen zulässige positive und
negative Abweichungen vom
Sollwert dar, dh. sind nicht das
Gesamtband)
-----------------------------------
2B07 Roboter wie folgt und
speziell konstruierte
Steuerungen und Endeffektoren:
a) geeignet, in Echtzeit eine
vollständige dreidimensionale
Bildverarbeitung oder
vollständige dreidimensionale
Szenenanalyse durchzuführen, um
damit Programme zu erzeugen oder
abzuändern oder um numerische
Programmdaten zu erzeugen oder
abzuändern:
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Die Beschränkung bezüglich
Szenenanalyse beinhaltet nicht die
Annäherung an die dritte Dimension
durch Bearbeitung unter einem
gegebenen Winkel oder begrenzte
Grauskalainterpretation zur
Wahrnehmung von Tiefe oder Struktur
(2 1/2 D).
-----------------------------------
b) speziell konstruiert gemäß
nationaler Sicherheitsnormen,
für explosionsgefährdete
Umgebungen; oder
c) speziell konstruiert oder
zugelassen als strahlungsfest
über das Maß hinaus, das zum
Bestand gegen normale
industrielle ionisierende
Strahlung notwendig ist (dh.
nicht für die
Nuklear-Industrie).
2B08 Baugruppen oder Bestandteile,
speziell konstruiert für
Werkzeugmaschinen oder für in
Nummern 2B06 oder 2B07 erfaßte
Ausrüstungen:
a) Spindelbaugruppen, bestehend aus
Spindeln und Lagern als
Mindestbaugruppe, mit
Rundlaufabweichung oder
Planlaufabweichung in einer
Umdrehung der Spindel von
weniger (besser) als 0,0006 mm
Gesamtmeßuhrausschlag;
b) Linearpositions-
Rückmeldeeinheiten, zB induktive
Geber, Meßskalen,
Infrarotsysteme oder
Lasersysteme, die eine
Gesamtgenauigkeit von weniger
(besser) als (800 + (600 x L x
10 hoch -3)) nm aufweisen (L
entspricht der tatsächlichen
Länge in mm);
c) Winkelpositions-
Rückmeldeeinheiten, zB induktive
Geber, Meßskalen,
Infrarotsysteme oder
Lasersysteme, die eine
Genauigkeit von weniger (besser)
als 0,00025 Grad aufweisen;
d) Schlittenbaugruppen bestehend
aus mindestens Führung, Bett und
Schlitten, die alle der
folgenden Merkmale aufweisen:
1. Scher-, Rollkreis- und
Rollwinkel weniger (besser)
als 2 Bogensekunden TIR
(Ablesung über den gesamten
Meßbereich) über vollen Weg
(Referenz: ISO/DIS 230-1 = DIN
8601),
2. eine horizontale
Geradlinigkeit von weniger
(besser) als 2 mym je 300 mm
Länge, und
3. eine vertikale Geradlinigkeit
von weniger (besser) als 2 mym
je 300 mm Länge;
e) Einpunkt-
Diamantenschneidemaschinen-
Einsätze, die sämtliche folgende
Merkmale aufweisen:
1. makellose und spanfreie
Schneideenden, wenn 400-fach
in jede beliebige Richtung
vergrößert;
2. Schneideradius von 0,1 bis
einschließlich 5 mm, und
3. Schneideradius-
Rundlaufabweichung weniger
(besser) als 0,002 mm
Gesamtmeßuhrausschlag.
2B09 Speziell konstruierte
bestückte Leiterplatten und
Software hierfür, oder
Verbund-Drehtische, die gemäß
den Hersteller-Spezifikationen
geeignet sind, numerische
Steuerungen, Werkzeugmaschinen
oder Rückmeldeeinrichtungen auf
oder über die in Nummer 2B01,
2B02, 2B03, 2B04, 2B05, 2B06,
2B07 und 2B08 spezifizierten
Werte aufzurüsten.
2R03 Vibrationstestausrüstung mit
Verwendung von digitalen
Steuerungsverfahren und
Rückkopplungs- oder
Closed-Loop-Testausrüstung
hierfür, geeignet für die
Vibrationsbeanspruchung eines
Systems mit 10 g RMS oder mehr
zwischen 20 Hz und 2000 Hz und
der Aufbringung von Kräften von
50 kN (11 250 Pfund) oder mehr;
D. SOFTWARE
2D01 Software, speziell
konstruiert oder abgeändert zur
Entwicklung, Fertigung oder
Verwendung von in Nummern 2A01,
2A02, 2A03, 2A04, 2A05, 2A06,
2B01, 2B02, 2B03, 2B04, 2B05,
2B06, 2B07, 2B08 oder 2B09
erfaßten Geräten.
2D02 Spezielle Software:
a) Software zur adaptiven Steuerung
und mit beiden der nachfolgenden
Merkmale:
1. für flexible
Fertigungseinheiten, die
mindestens aus Ausrüstungen
bestehen, wie in b.1 und b.2
der „Definition'' flexible
Fertigungseinheit beschrieben;
und
2. geeignet, in Echtzeit
Programme oder Daten zu
erzeugen oder abzuändern,
indem sie die mit Hilfe von
mindestens zwei
Erkennungstechniken erhaltenen
Signale simultan verwerten;
diese Erkennungstechniken
sind:
a) automatische Bilderfassung
(sichtbares Spektrum)
b) Infrarotabbildung
c) Schallabbildung (hörbarer
Bereich)
d) Tastmessung
e) Trägheitspositionierung
f) Kraftmessung
g) Drehmomentmessung.
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 2D02.a erfaßt keine
Software, die nur eine
Umstrukturierung von funktionell
gleicher Ausrüstung innerhalb der
flexiblen Fertigungseinheiten
bewirkt und vorgespeicherte
Teileprogramme sowie eine
vorgespeicherte Strategie für die
Verteilung der Teileprogramme
verwendet.
-----------------------------------
b) Software, die anderen als in
Nummer 2B01.a/b erfaßten
elektronischen Einrichtungen,
Fähigkeiten zur numerischen
Steuerung gemäß Nummer 2B01
verleiht.
E. TECHNOLOGIE
2E01 Technologie gemäß der
„General Technology Note''
(Allgemeine Technologienote) zur
Entwicklung von Ausrüstungen
oder Software, die in den
Nummern 2A01, 2A02, 2A03, 2A04,
2A05, 2A06, 2B01, 2B02, 2B03,
2B04, 2B05, 2B06, 2B07, 2B08,
2B09, 2D01 oder 2D02 erfaßt
sind.
2E02 Technologie gemäß der
„General Technology Note''
(Allgemeine Technologienote) zur
Fertigung von Ausrüstungen, die
in den Nummern 2A01, 2A02, 2A03,
2A04, 2A05, 2A06, 2B01, 2B02,
2B03, 2B04, 2B05, 2B06, 2B07,
2B08, 2B09, 2D01 oder 2D02
erfaßt sind.
2E03 Andere Technologie.
a) Technologie:
1. Zur Entwicklung von
interaktiver Graphik als
integrierender Bestandteil von
numerischen Steuerungen zur
Aufbereitung oder Abänderung
von Teilprogrammen;
2. Zur Entwicklung von
Generatoren für
Werkzeugmaschinen-Anweisungen
(zB Teileprogramme) aus
Konstruktionsdaten, die sich
in den numerischen Steuerungen
befinden;
3. Zur Entwicklung von
Integrations-Software zur
Einbindung von
Expertensystemen für
fortgeschrittene
Entscheidungsunterstützung
(Advanced Decision Support)
für Erzeugungsebenen in
numerische Steuerungen;
b) Technologie für
metallbearbeitende
Fertigungsprozesse wie folgt:
1. Technologie zur Konstruktion
von Werkzeugen, Prägestempeln
oder
Befestigungsvorrichtungen, die
für die folgenden Verfahren
konstruiert sind:
a) Superplastische Verformung;
b) Diffusions-Schweißen;
c) Direktes hydraulisches
Pressen;
2. Technische Daten, bestehend
aus Verfahrensmethoden oder
-parametern wie nachstehend
aufgelistet und zur Steuerung
von:
a) Superplastische Verformung
von Aluminiumlegierungen,
Titanlegierungen oder
Superlegierungen:
1. Oberflächenvorbereitung;
2. Umformungsgeschwindigkeit;
3. Temperatur;
4. Druck;
b) Diffusions-Schweißen von
Superlegierungen oder
Titanlegierungen:
1. Oberflächenvorbereitung;
2. Temperatur;
3. Druck;
c) direktwirkendes
hydraulisches Pressen von
Aluminiumlegierungen oder
Titanlegierungen:
1. Druck;
2. Zyklusdauer;
d) heißisostatische Verdichtung
von Titanlegierungen,
Aluminiumlegierungen oder
Superlegierungen:
1. Temperatur;
2. Druck;
3. Zyklusdauer;
c) Technologie zur Entwicklung oder
Fertigung von hydraulischen
Streckformenmaschinen und
Stempel hierfür zur Fertigung
von Flugzeugzellen.
-----------------------------------
ANMERKUNGEN:
1. Der Ausdruck
„Beschichtungsverfahren''
beinhaltet Reparatur,
Ausbesserung sowie
Neubeschichtung.
2. Der Ausdruck „legierte
Aluminid-Beschichtung''
beinhaltet einfache oder
Mehrschritt-Legierungen, bei
denen ein Element oder Elemente
vor oder während der Aufbringung
der Aluminid-Beschichtung durch
ein anderes
Beschichtungsverfahren
sedimentiert werden. Der
Ausdruck beinhaltet jedoch nicht
die Mehrfachverwendung eines
Einschritt-
Packungszementierungsverfahrens
zur Herstellung von legierten
Aluminiden.
3. Der Ausdruck
„edelmetall-modifizierte
Aluminid''-Beschichtungen
beinhaltet
Mehrschritt-Beschichtungen, bei
denen das Edelmetall oder
Edelmetalle vor der Aufbringung
der Aluminidbeschichtung durch
andere Beschichtungsverfahren
sedimentiert werden.
4. Mischungen bestehen aus
infiltriertem Material,
abgestuften Zusammensetzungen,
Co-Sedimenten und
Mehrschicht-Sedimenten und
werden unter Verwendung eines
oder mehrerer
Beschichtungsverfahren, wie sie
in der Tabelle spezifiziert
sind, erreicht.
5. MCrAlX bezieht sich auf eine
Beschichtungslegierung, wobei
M Cobalt, Eisen, Nickel oder
Kombinationen hiervon bedeutet
und X Hafnium, Yttrium, Silicium
oder Tantal in jeder beliebigen
Menge oder andere absichtlich
beigemengte Zugaben über
0,01 Gewichtsprozent in
verschiedenen Proportionen und
Kombinationen, ausgenommen:
a) CoCrAlY-Beschichtungen, die
weniger als 22 Gewichtsprozent
Chrom, weniger als 7
Gewichtsprozent Aluminium und
weniger als 2 Gewichtsprozent
Yttrium enthalten;
b) CoCrAlY-Beschichtungen, die 22
bis 24 Gewichtsprozent Chrom,
10 bis 12 Gewichtsprozent
Aluminium und 0,5 bis
0,7 Gewichtsprozent Yttrium
enthalten; oder
c) NiCrAlY-Beschichtungen, die 21
bis 23 Gewichtsprozent Chrom,
10 bis 12 Gewichtsprozent
Aluminium und 0,9 bis
1,1 Gewichtsprozent Yttrium
enthalten.
6. Der Ausdruck
„Aluminiumlegierungen'' bezieht
sich auf Legierungen, die eine
äußerste Zugfestigkeit von
190 MPa oder mehr, gemessen bei
293 K (20 Grad C), haben.
7. Der Ausdruck „korrosionfester
Stahl'' bezieht sich auf AISI
(American Iron and Steel
Institute) 300-Serien oder auf
entsprechende nationale
Normstähle.
8. Hochschmelzende Metalle bestehen
aus den folgenden Metallen und
ihren Legierungen: Niobium
(Columbium), Molybdän, Wolfram
und Tantal.
9. Sensorfenstermaterialien wie
folgt: Aluminiumoxid, Silicium,
Germanium, Zinksulfid,
Zinkselenid, Galliumarsenid und
die folgenden Metallhalogenide:
Kaliumiodid, Kaliumfluorid oder
Sensorfenstermaterialien mit
mehr als 40 mm Durchmesser bei
Thalliumbromid und
Thalliumbromidchlorid.
10. Technologie zur
Einschritt-Packungszementierung
von festen Tragflächen werden
von dieser Gruppe nicht erfaßt.
11. Polymere wie folgt: Polyimide,
Polyester, Polysulfide,
Polycarbonate und Polyethane.
12. Modifizierte Zirkonerde bezieht
sich auf Zugaben aus anderen
Metalloxiden, wie zB Calcium-,
Magnesium-, Yttrium-,
Hafniumoxide, seltene Erden,
usw., zu Zirkonerde zur
Stabilisierung bestimmter
kristallographischer Phasen und
Phasenanordnungen.
Wärmesperrebeschichtungen aus
Zirkonerde, mit Calcium- oder
Magnesiumoxid durch Mischen oder
Fusion modifiziert, sind nicht
erfaßt.
13. Titanlegierungen bezieht sich
auf Legierungen für Luft- und
Raumfahrt mit einer äußersten
Zugfestigkeit von 900 MPa oder
mehr, gemessen bei 293 K
(20 Grad C).
14. Niedrigexpansionsgläser bezieht
sich auf Gläser mit einer
Wärmeausdehnungszahl von 1 x 10
hoch -7 K hoch -1 oder weniger,
gemessen bei 293 K (20 Grad C).
15. Dielektrische Schichten sind
Beschichtungen, die aus
Mehrschicht-Isolationmaterialien
konstruiert sind, bei denen die
Interferenzeigenschaften einer
Struktur, welche sich aus
Materialien mit verschiedenen
Brechungskoeffizienten
zusammensetzt, dazu dienen,
verschiedene Wellenlängenbänder
zu reflektieren, zu übertragen
oder zu absorbieren.
Dielektrische Schichten bezieht
sich auf mehr als vier
dielektrische Schichten oder auf
dielektrisch/metallisch
zusammengesetzte Schichten.
16. Zementiertes Wolframcarbid
beinhaltet keine Materialien für
Schneide- und Formungswerkzeuge,
die aus Wolframcarbid/(Cobalt,
Nickel), Titancarbid/(Cobalt,
Nickel), Chromcarbid/Nickel-
Chrom und Chromcarbid/Nickel
bestehen.
TECHNISCHE ANMERKUNG:
In Spalte 1 der Tabelle
spezifizierte Verfahren sind wie
folgt definiert:
a) CVD-Verfahren (Chemical Vapour
Deposition) ist ein
Belagsbeschichtungsverfahren
oder ein
oberflächenveränderndes
Beschichtungsverfahren, in dem
ein Metall, eine Legierung,
ein Verbundwerkstoff, ein
Dielektrikum oder eine Keramik
auf einem erhitzten Substrat
abgelagert werden. Gasförmige
Reaktanden zersetzen sich in
der Nachbarschaft eines
Substrates oder gehen neue
Zusammensetzungen ein; daraus
ergibt sich eine Sedimentation
des gewünschten Elements, der
gewünschten Legierung oder des
gewünschten Mischungsmaterials
auf dem Substrat.
Die Energie für diese
Zersetzung oder diesen
chemischen Reaktionsprozeß
kann durch Erhitzen des
Substrats, ein
Glimmentladungsplasma oder
durch Laserbestrahlung
geliefert werden.
ANMERKUNGEN:
1. CVD beinhaltet folgende
Verfahren: gerichtete Gasfluß-
Out-of-Pack-Sedimentation,
Pulsations-CVD, gesteuerte
Kernbildungsthermolyse (CNTD =
Controlled Nucleation Thermal
Decomposition), plasmaerweiterte
oder plasmaunterstützte
CVD-Verfahren.
2. Pack (Packung) bezeichnet ein in
eine Pulvermischung getauchtes
Substrat.
3. Die Herstellung der gasförmigen
Reaktanden, die im Out-of-Pack-
Verfahren verwendet werden,
erfolgt unter Verwendung der
gleichen Basisreaktionen und
-parameter wie im
Packungszementierungsverfahren,
ausgenommen, daß das zu
beschichtende Substrat nicht mit
der Pulvermischung in Berührung
steht.
b) TE-PVD-Verfahren (Thermal
Evaporation-Physical Vapour
Deposition (Wärmeverdampfung-
Physikalisches
Sedimentationsverfahren)) ist
ein
Belagsbeschichtungsverfahren,
das in einem Vakuum bei einem
Druck von weniger als 0,1 Pa
durchgeführt wird und in dem
eine thermische Energiequelle
zur Verdampfung des
Beschichtungsmaterials
verwendet wird. Dieses
Verfahren führt zur
Kondensation oder
Sedimentation des verdampften
Stoffes auf die in
entsprechender Weise
positionierten Substrate. Die
Zuführung von Gasen in die
Vakuumkammer während des
Beschichtungsverfahrens zur
Synthese von
Mischbeschichtungen ist eine
gängige Abänderung des
Verfahrens. Die Verwendung von
Ionen, Elektronenstrahlen oder
Plasma, um die Sedimentation
der Beschichtung zu aktivieren
oder zu unterstützen, ist
ebenfalls eine übliche
Abänderung bei dieser Technik.
Die Verwendung von
Überwachungseinrichtungen, um
eine Messung von optischen
Eigenschaften und
Beschichtungsdicken während
des Prozesses vorzunehmen,
kann ein Leistungsmerkmal
dieser Verfahren sein.
Spezifische TE-PVD-Verfahren
sind wie folgt:
1. Elektronenstrahl-PVD verwendet
einen Elektronenstrahl zur
Erhitzung und Verdampfung des
die Beschichtung bildenden
Materials;
2. Resistive Erhitzungs-PVD setzt
elektrisch widerstandsfähige
Wärmequellen ein, die einen
kontrollierten und einheitlichen
Fluß von verdampften
Beschichtungssorten herstellen
können;
3. Laser-Verdampfung verwendet
entweder Laserstrahlen mit
gepulsten oder kontinuierlichen
Wellen, um das die Beschichtung
bildende Material zu verdampfen;
4. Kathodenbogen-Sedimentation
setzt eine selbstverzehrende
Kathode des Materials ein, das
die Beschichtung bildet, und hat
eine Entladung, die durch einen
vorübergehenden Kontakt eines
Triggers auf der Oberfläche
zustande kommt. Die gesteuerte
Bewegung des Lichtbogens
erodiert die Kathodenoberfläche
und schafft ein hochionisiertes
Plasma. Die Anode kann entweder
ein über einen Isolator an die
Peripherie der Kathode
angelegter Konus oder die Kammer
sein. Substratvorspannung wird
für
Nicht-Sichtlinien-Sedimentation
eingesetzt.
ANMERKUNG:
Diese Definition beinhaltet keine
ungeordnete
Kathodenbogen-Sedimentation mit
nicht-vorgespannten Substraten.
c) Ionplating ist eine spezielle
Abänderung eines gängigen
TE-PVD-Verfahrens, bei dem ein
Plasma oder eine Ionenquelle zur
Ionisierung des zu
sedimentierenden Stoffes
verwendet und eine negative
Vorspannung an das Substrat
angelegt wird, um die Extraktion
des zu sedimentierenden Stoffes
aus dem Plasma zu ermöglichen.
Die Einbringung eines reaktiven
Stoffes, die Verdampfung von
festen Stoffen in der
Verfahrenskammer, sowie die
Verwendung von
Überwachungseinrichtungen zur
Messung von optischen
Eigenschaften und der
Beschichtungsdicken während des
Prozesses sind übliche
Abänderungen des Verfahrens.
d) Packungszementierung ist ein
oberflächenveränderndes
Beschichtungsverfahren oder
Belagsbeschichtungsverfahren,
bei dem ein Substrat in eine
Pulvermischung (eine Packung)
getaucht wird, die aus folgendem
besteht:
1. den metallischen Pulvern, die
sedimentiert werden sollen
(normalerweise Aluminium,
Chrom, Silicium oder
Kombinationen hiervon);
2. einem Aktivator (normalerweise
ein Halidsalz); und
3. einem inerten Pulver, meist
Aluminiumoxid.
Das Substrat und die
Pulvermischung befinden sich
in einer Retorte, die auf
1 030 K (757 Grad C) bis
1375 K (1 102 Grad C) so lange
erhitzt wird, bis eine
Sedimentation der Beschichtung
erfolgt.
e) Plasmaspritzen ist ein
Belagsbeschichtungsverfahren,
bei dem eine Spritzpistole
(Spritzfackel), die ein Plasma
erzeugt und steuert, Pulver oder
Drahtbeschichtungsmaterialien
aufnimmt, diese schmilzt und sie
gegen ein Substrat schleudert,
auf dem sich eine vollständig
gebundene Beschichtung bildet.
Beim Plasmaspritzen
unterscheidet man
Niederdruck-Plasmaspritzen oder
Hochgeschwindigkeits-
Plasmaspritzen, das unter Wasser
durchgeführt wird.
ANMERKUNGEN:
1. Niederdruck bedeutet einen Druck
niedriger als den
Atmosphärendruck der Umgebung.
2. Hochgeschwindigkeit bezieht sich
auf die Gasgeschwindigkeit am
Pistolenausgang und beträgt mehr
als 750 m/s, berechnet bei 293 K
(20 Grad C) bei 0,1 MPa.
f) Schlammsedimentation ist ein
oberflächenveränderndes
Beschichtungsverfahren oder
ein
Belagsbeschichtungsverfahren,
bei dem ein Metall- oder
Keramikpulver mit einem
organischen Binder in einer
Flüssigkeit suspendiert und
durch Spritzung, Eintauchen
oder Anstrich auf ein Substrat
aufgetragen wird; anschließend
erfolgt eine Luft- oder
Ofentrocknung oder
Wärmebehandlung, um die
gewünschte Beschichtung zu
erreichen.
g) Sputtersedimentation ist ein
Belagsbeschichtungsverfahren,
das auf einem
Impulsübertragungsphänomen
beruht. Bei diesem Verfahren
werden positive Ionen durch
ein elektrisches Feld auf die
Oberfläche eines Ziels
(Beschichtungsmaterial) hin
beschleunigt. Die kinetische
Energie der auftreffenden
Ionen ist hoch genug, um aus
der Zieloberfläche Atome
herauszulösen, die sich dann
auf einem entsprechend
positionierten Substrat
ablagern.
ANMERKUNGEN:
1. Die Tabelle bezieht sich nur auf
Trioden-, Magnetron- oder
Reaktiv-Sputtersedimentation,
die eingesetzt werden, um die
Haftung der Beschichtung und die
Sedimentationsrate zu erhöhen,
sowie auf Radiofrequenz (RF)
verstärkte Sputtersedimentation,
die zur Verdampfung von nicht-
metallischen
Beschichtungsmaterialien
eingesetzt wird.
2. Langsame Ionenstrahlen (weniger
als 5 keV) können zur
Aktivierung der Sedimentation
verwendet werden.
h) Ionenimplantation ist ein
oberflächenveränderndes
Beschichtungsverfahren, bei
dem das zu legierende Element
ionisiert, durch einen
Spannungsgradienten
beschleunigt und in die
Oberfläche des Substrats
eingepflanzt wird. Dies
schließt Verfahren mit ein,
bei denen die
Ionenimplantation simultan zu
einer Elektronenstrahl-PVD-
Sedimentation oder
Sputtersedimentation erfolgt.
-----------------------------------
3 - ELEKTRONIK - KONSTRUKTION, ENTWICKLUNG UND FERTIGUNG
--------------------------------------------------------------------
A) GERÄTE, BAUGRUPPEN UND ---------------------------------
BAUELEMENTE ANMERKUNG:
Die Nummern 3R01 und 3R02 erfassen
Einrichtungen, die entwickelt sind
für den Gebrauch in
Raketensystemen der Nummer 9R01.
---------------------------------
----------------------------------
ANMERKUNGEN:
1. Der Erfassungsstatus der in 3A
beschriebenen Geräte, Baugruppen
und Bauelemente - außer jenen in
Nummer 3A01.a.3 bis 10 -, die
speziell entwickelt sind als
bzw. die gleichen funktionellen
Eigenschaften haben wie andere
Einrichtungen, richtet sich nach
dem Erfassungsstatus der anderen
Einrichtungen.
2. Der Erfassungsstatus von
integrierten Schaltungen (ICs),
beschrieben in Nummer 3A01.a.3
bis 9, die unabänderbar für eine
spezifische Funktion
programmiert oder entwickelt
sind, richtet sich nach dem
Erfassungsstatus der anderen
Einrichtungen.
ANMERKUNG:
Kann der Hersteller oder Anwender
den Erfassungsstatus der anderen
Einrichtungen nicht bestimmen, so
richtet sich der Erfassungstatus
der integrierten Schaltungen nach
Nummer 3A01.a.3 bis 9.
----------------------------------
3A01 Elektronische Einheiten und
Bauelemente
a) Integrierte Schaltungen für
Universalanwendungen wie folgt:
----------------------------------
ANMERKUNGEN:
1. Der Erfassungsstatus von
Halbleiterscheiben (fertig oder
unfertig), bei denen die
Funktion bereits festgelegt ist,
ist nach den Parametern der
Nummer 3A01.a zu bewerten.
2. Integrierte Schaltungen
beinhalten die folgenden Typen:
monolithisch integrierte
Schaltungen;
integrierte Hybridschaltungen;
integrierte
Multichip-Schaltungen;
integrierte Schichtschaltungen,
einschließlich integrierte
Silicium-Saphir-Schaltungen;
integrierte optische
Schaltungen.
----------------------------------
1. integrierte Schaltungen,
strahlungsfest konstruiert
oder entwickelt, um eine
Gesamtdosis von 5 x 10 hoch 5
rad (Si) oder höher
auszuhalten;
2. integrierte Schaltungen, 3R01 Elektronische Baugruppen und
beschrieben in Nummer 3A01.a.3 Bauteile, speziell konstruiert
bis a.10, ausgelegt für einen für militärische Zwecke und den
Betrieb bei einer Einsatz bei Temperaturen über
Umgebungstemperatur unter 219 125 Grad C.
K (-54 Grad C) oder über 398 K
(+125 Grad C);
----------------------------------
ANMERKUNG:
Die Temperaturgrenzwerte in
Nummer 3A01.a.2. gelten nicht für
integrierte Schaltungen für zivile
Kraftfahrzeug- oder
Eisenbahntriebwagen.
----------------------------------
3. Mikroprozessor-
Mikroschaltungen,
Mikrocomputer-Mikroschaltungen
und Mikrokontroller-
Mikroschaltungen mit einem der
folgenden Merkmale:
----------------------------------
ANMERKUNGEN:
Nummer 3A01.a.3. erfaßt keine
Mikrocomputer-Mikroschaltungen auf
Siliciumbasis oder Mikrokontroller-
Mikroschaltungen, die eine
Operanden-(Daten-)Wortlänge von
8 Bit oder weniger besitzen und
nicht von Anmerkung 2 zu 3A erfaßt
sind)
----------------------------------
a) einer externen
Datenbusbreite von mehr als
32 Bit oder eine Arithmetik-
Logik-Einheit (ALU) mit
einer Zugriffsbreite von
mehr als 32 Bit;
b) einer Taktfrequenz von mehr
als 40 MHz;
c) einer externen
Datenbusbreite von 32 Bit
oder mehr und fähig,
12,5 Millionen
Befehle/Sekunde (MIPS) oder
mehr auszuführen; oder
----------------------------------
ANMERKUNG:
Ist der MIPS-Wert nicht
spezifiziert, ist der Umkehrwert
der durchschnittlichen
Befehlszykluszeit (in mys) zu
verwenden.
----------------------------------
d) mit mehr als einem Daten-
oder Befehlsbus oder
seriellem Kommunikationsport
für eine externe Verknüpfung
mit einem Parallelprozessor
mit einer
Übertragungsgeschwindigkeit
von mehr als 2,4 Mbytes/s;
4. integrierte
Speicherschaltungen wie folgt:
a) elektronische löschbare
PROMs (EEPROMs) mit einer
Speicherkapazität von:
1. mehr als 1 Mbit/Paket;
oder
2. mehr als 256 kbit/Paket
und einer maximalen
Zugriffszeit von weniger
als 80 ns;
b) statische RAMs (SRAMs) mit
einer Speicherkapazität von:
1. mehr als 1 Mbit/Paket;
oder
2. mehr als 256 kbit/Paket
und einer maximalen
Zugriffszeit von weniger
als 25 ns;
c) integrierte
Speicherschaltungen, die aus
einem Verbindungshalbleiter
gefertigt sind;
5. integrierte
Wandler-Schaltungen wie folgt:
a) Analog/Digital-Wandler mit 3R02 Analog Digital-Wandler,
einem der folgenden verwendbar in Systemen laut
Merkmale: Nummer 9R01, mit einer der
nachfolgenden Charakteristiken:
1. einer Auflösung von 8 Bit a) konstruiert im Hinblick auf die
oder mehr, jedoch weniger Erfüllung militärischer
als 12 Bit, mit einer Spezifikationen für gehärtete
Gesamtkonvertierungszeit Ausrüstungen oder
bis maximale Auflösung b) konstruiert oder modifiziert
von weniger als 10 ns; für militärische Zwecke und von
einem der nachstehenden Typen:
2. einer Auflösung von 12 Bit
bei einer
Gesamtkonvertierungszeit
bis maximale Auflösung von
weniger als 200 ns; oder
3. einer Auflösung von mehr
als 12 Bit bei einer
Gesamtkonvertierungszeit
bis maximale Auflösung von
weniger als 2 mys;
b) Digital Analog-Wandler mit 1. Analog Digital-Wandler
einer Auflösung von 12 Bit „Mikroschaltkreise'', die
oder mehr und einer „strahlungsgehärtet'' sind
Einstellzeit von weniger oder alle nachstehenden
als 10 ns; Charakteristiken aufweisen:
a) ausgestattet mit einer
Auflösung von 8 Bits oder
mehr,
b) ausgelegt für den Betrieb
in Temperaturbereichen von
unter minus 54 Grad C bis
über plus 125 Grad C, und
c) hermetisch abgedichtet.
2. Elektrischer Eingang vom Typ
Analog Digital-Wandler,
gedruckte Schaltkreise oder
Module, mit allen
nachstehend genannten
Charakteristiken:
a) ausgestattet mit einer
Auflösung von 8 Bits oder
mehr,
b) ausgelegt für den Betrieb
in Temperaturbereichen von
unter minus 54 Grad C bis
über plus 125 Grad C, und
c) ausgestattet mit den unter
1. genannten
„Mikroschaltkreisen''.
6. Elektro-optische oder optische
integrierte Schaltungen für
Signaldatenverarbeitung mit
allen folgenden Merkmalen:
a) einer oder mehreren internen
Laserdioden;
b) einem oder mehreren internen
Lichterkennungselementen,
und
c) Hohlleitern;
7. Programmierbare Gate-Arrays
mit einem der folgenden
Merkmale:
a) einer äquivalenten
Gatterzahl von mehr als
30 000 (zwei
Eingangsgatter); oder
b) einer typischen Grundgatter-
Verzögerungszeit von weniger
als 0,4 ns;
8. Programmierbare Logic-Arrays
mit einem der folgenden
Merkmale:
a) einer äquivalenten
Gatterzahl von mehr als
5 000 (zwei Eingangsgatter);
oder
b) einer Schalt-Frequenz von
mehr als 100 MHz;
9. integrierte Schaltungen für
Neurale Netze;
10. Kundenspezifische integrierte
Schaltungen, bei denen
entweder die Funktion oder der
Erfassungsstatus der
Endausrüstung dem Hersteller
nicht bekannt sind, mit einem
der folgenden Merkmale:
a) mehr als 144 Anschlüsse;
b) eine typische Grundgatter-
Verzögerungszeit von weniger
als 0,4 ns haben; oder
c) eine Betriebsfrequenz von
mehr als 3 GHz;
11. digitale integrierte
Schaltungen, außer jenen in
Nummer 3A01.a.3 bis a.10, auf
der Basis eines
Verbindungshalbleiters und mit
einem der folgenden Merkmale:
a) einer äquivalenten
Gatterzahl von mehr als 300
(2 Eingangsgatter); oder
b) einer Schalt-Frequenz von
mehr als 1,2 GHz;
b) Mikrowellen- oder
Millimeterwellen-Bauelemente:
1. Vakuum-Elektro-Röhren und
Kathoden wie folgt:
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.b.1. erfaßt keine
Röhren, die für einen Betrieb in
Standard-Bändern der Zivilen
Telekommunikation bei Frequenzen
von nicht mehr als 31 GHz
entwickelt oder ausgelegt sind.
----------------------------------
a) Wanderfeldröhren wie folgt:
1. mit einer Betriebsfrequenz
höher als 31 GHz;
2. mit einem
Kathodenheizelement mit
einer Einschaltzeit auf
RF-Nennleistung von
weniger als 3 Sekunden;
3. Gekoppelte Hohlraumröhren
oder Abwandlungen hiervon;
4. Helix-Röhren oder
Abwandlungen hiervon mit
einem der folgenden
Merkmale:
a) 1. einer Momentanbandbreite
von einer halben Oktave oder
mehr, und
2. dem Produkt aus
durchschnittlicher
Nennausgangsleistung (kW)
und der
Höchstbetriebsfrequenz (GHz)
von mehr als 0,2;
b) 1. einer Momentanbandbreite
von weniger als einer halben
Oktave, und
2. dem Produkt aus
durchschnittlicher
Nennausgangsleistung (kW)
und der
Höchstbetriebsfrequenz (GHz)
von mehr als 0,4; oder
c) raumfahrtqualifiziert;
b) Cross-Field-Verstärkerröhren
mit einer Verstärkung von
mehr als 17 dB;
c) Imprägnierte Kathoden für
Elektro-Röhren mit einem der
folgenden Merkmale:
1. Einschaltzeit auf
Nennemission von weniger
als 3 Sekunden; oder
2. die eine kontinuierliche
Emissionsstromdichte bei
Nennbetriebsbedingungen
von mehr als 5 A/cm2
erzeugen;
2. integrierte
Mikrowellenschaltungen oder
Mikrowellenmodule mit
integrierten monolithischen
Schaltungen mit
Betriebsfrequenzen von mehr
als 3 GHz;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.b.2. erfaßt keine
Schaltungen oder Module für Geräte,
die ausschließlich in
Standard-Bändern der zivilen
Telekommunikation bei Frequenzen
von nicht mehr als 31 GHz betrieben
werden.
----------------------------------
3. Mikrowellentransistoren,
ausgelegt für einen Betrieb
bei Frequenzen von mehr als 31
GHz;
4. Mikrowellen-Verstärker auf
Halbleiterbasis:
a) mit einer Betriebsfrequenz
von mehr als 10,5 GHz und
mit einer Momentanbandbreite
von mehr als einer halben
Oktave; oder
b) mit einer Betriebsfrequenz
von mehr als 31 GHz;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.b.4. erfaßt keine
folgenden Verstärker:
1. speziell konstruiert für
medizinische Anwendungen;
2. speziell konstruiert zur
Verwendung in einfachen
Lehrbehelfen; oder
3. mit einer Ausgangsleistung von
nicht mehr als 10 W und speziell
konstruiert für:
a) industrielle oder zivile
Einbruchsicherungs-,
Erkennungs- und Alarmsysteme;
b) Bewegungsablaufsteuerungs- und
Zählsysteme in Verkehr und
Industrie; oder
c) Systeme zur Erkennung von
Luft- oder
Wasserverschmutzung.
----------------------------------
5. Elektronisch oder magnetisch
abstimmbare Bandpässe oder
Sperrfilter mit mehr als 5
abstimmbaren Resonatoren, zur
Abstimmung in einem
1,5:1 Frequenzband
(f(max)/f(min)) in weniger als
10 mys, mit:
a) einer Bandpaß-Bandbreite von
mehr als 0,5% der
Mittenfrequenz; oder
b) einer Sperrfilter-Bandbreite
von weniger als 0,5% der
Mittenfreqeunz;
6. Mikrowellen-Baugruppen, mit
einer Betriebsfrequenz von
mehr als 31 GHz;
7. Flexible Hohlleiter,
konstruiert für einen Einsatz
bei Frequenzen von über
40 GHz;
c) akustische Einrichtungen wie
folgt und speziell konstruierte
Bauelemente hierfür:
1. Vorrichtungen mit akustischen
Oberflächenwellen und mit
akustischen oberflächennahen
Volumenwellen mit:
a) einer Trägerfrequenz von
mehr als 1 GHz; oder
b) einer Trägerfrequenz von
1 GHz oder weniger und:
1. eine Nebenkeulendämpfung
von mehr als 55 dB;
2. einem Produkt aus
Höchstverzögerungszeit und
Bandbreite (Zeit in mys
und Bandbreite in MHz
ausgedrückt) von mehr als
100; oder
3. einer dispergierenden
Verzögerung von mehr als
10 mys;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.c.1. erfaßt keine
speziell für Haushalts- und
Unterhaltungselektronik
konstruierte Bausteine.
----------------------------------
2. Einrichtungen mit akustischen
Volumenwellen, die eine
direkte Verarbeitung von
Signalen bei Frequenzen von
mehr als 1 GHz erlauben;
3. akustisch-optische
Signalaufbereitungseinrich-
tungen, die die Wechselwirkung
zwischen akustischen Wellen
und Lichtwellen ausnutzen und
die eine unmittelbare
Aufbereitung von Signalen oder
Bildern ermöglichen,
einschließlich Spektroanalyse,
Korrelation und Konvolution.
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.c.3. erfaßt keine
Bausteine, speziell konstruiert für
zivile Fernseh-, Video-AM- und
FM-Rundfunkeinrichtungen.;
----------------------------------
d) elektronische Einrichtungen oder
Schaltungen mit Bauelementen,
gefertigt aus supraleitfähigen
Materialien, speziell
konstruiert für einen Betrieb
bei Temperaturen unter der
kritischen Temperatur von
mindestens einem der
supraleitfähigen Bestandteile,
und mit einem der folgenden
Merkmale:
1. elektromagnetische
Verstärkung:
a) bei Frequenzen gleich oder
kleiner als 31 GHz mit einem
Rauschwert von weniger als
0,5 dB; oder
b) bei Frequenzen von mehr als
31 GHz;
2. Stromschaltung für digitale
Schaltungen, die supraleitende
Gatter mit einem Produkt aus
Verzögerungszeit/Gatter (in
Sekunden) und der
Verlustleistung/Gatter (in
Watt) von weniger als 10 hoch
-14 J verwenden; oder
3. Frequenzwahl bei allen
Frequenzen mit Schwingkreisen
mit Q-Werten von mehr als
10 000;
e) Hochenergetische Bausteine wie
folgt:
1. Batterien wie folgt:
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.e.1. erfaßt keine
Batterien mit Volumina gleich oder
kleiner 26 cm3 (zB herkömmliche
C-Zellen oder UM-2-Batterien):
----------------------------------
a) Primärzellen und Batterien
mit einer Energiedichte von
mehr als 350 Wh/kg und
ausgelegt für einen Betrieb
innerhalb eines
Temperaturbereiches von
unter 243 K (-30 Grad C) bis
über 343 K (+70 Grad C);
b) wiederaufladbare Zellen und
Batterien mit einer
Energiedichte von mehr als
150 Wh/kg nach
75 Lade-/Entladezyklen bei
einem Entladungsstrom gleich
C/5 Stunden (wobei C die
Nennkapazität in Ampere-
Stunden ist) wenn sie
innerhalb eines
Temperaturbereiches von
unter 253 K (-20 Grad C) bis
über 333 K (+60 Grad C)
arbeiten;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Die Energiedichte wird durch
Multiplikation der
durchschnittlichen Leistung in Watt
(durchschnittliche Spannung in Volt
mal durchschnittlicher Strom in
Ampere) mit der Entladungsdauer in
Stunden bis 75% der
Leerlaufspannung, dividiert durch
die Gesamtmasse der Zelle (oder
Batterie) in kg erhalten.
----------------------------------
c) raumfahrtqualifizierte und
strahlungsfeste
Solargeneratoren mit einer
spezifischen Leistung von
mehr als 160 W/m2 bei einer
Betriebstemperatur von 301 K
(+28 Grad C) unter einer
Wolframbeleuchtung von 1
kW/m2 bei 2 800 K (2 527
Grad C);
2. Hochleistungs-
Speicherkondensatoren wie
folgt:
a) Kondensatoren mit einer
Folgefrequenz der
Entladepulse von weniger als
10 Hz (monostabile
Kondensatoren) mit einem der
folgenden Merkmale:
1. einer Nennspannung gleich
oder größer als 5 kV;
2. einer Energiedichte gleich
oder größer als 250 J/kg,
und
3. einer Gesamtenergie gleich
oder größer als 25 kJ;
b) Kondensatoren mit einer
Folgefrequenz der
Entladepulse von 10 Hz oder
mehr (repetition rated
capacitors) mit einem der
folgenden Merkmale:
1. einer Nennspannung gleich
oder größer als 5 kV;
2. einer Energiedichte gleich
oder größer als 50 J/kg;
3. einer Gesamtenergie gleich
oder größer als 100 J, und
4. einer
Lade/Entladezykluszahl
gleich oder größer als
10 000;
3. Supraleitende Elektromagnete
oder Solenoide, speziell
konstruiert zur völligen
Ladung oder Entladung in
weniger als einer Minute, mit
allen folgenden Merkmalen:
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3A01.e.3. erfaßt keine
supraleitenden Elektromagnete oder
Solenoide, die speziell für
medizinische Einrichtungen der
Kernspintomografie (MRI)
konstruiert sind.
----------------------------------
a) die höchste während der
Entladung gelieferte Energie
dividiert durch die
Entladungsdauer beträgt mehr
als 500 kJ/Minute;
b) einem Innendurchmesser der
stromführenden Windungen von
mehr als 250 mm, und
c) ausgelegt für eine
Magnetinduktion vom mehr als
8 T oder einer
Gesamtstromdichte in der
Wicklung von mehr als
300 A/mm2;
4. Schaltungen oder Systeme zur
elektromagnetischen
Energiespeicherung mit
Elementen, gefertigt aus
supraleitenden Materialien,
speziell konstruiert für einen
Betrieb bei Temperaturen unter
der kritischen Temperatur von
mindestens einem ihrer
supraleitenden Bestandteile,
mit allen folgenden Merkmalen:
a) Resonanzbetriebsfrequenzen
von mehr als 1 MHz;
b) einer gespeicherten
Energiedichte von 1 MJ/m3
oder mehr, und
c) einer Entladezeit von
weniger als 1 ms;
5. Röntgensysteme des
Blitzlichttypes einschließlich
Röhren, mit allen folgenden
Merkmalen:
a) einer Spitzenleistung von
mehr als 500 MW;
b) einer Ausgangsspannung von
mehr als 500 kV, und
c) einer Impulsbreite von
weniger als 0,2 mys;
f) absolute Stellungsgeber für
drehende Bewegungen mit einem
der folgenden Merkmale:
1. einer Auflösung besser als
1 Teil auf 265 000
(18 Bit-Auflösung)
Skalenendwert; oder
2. einer Genauigkeit besser als
+-2,5 Bogensekunden.
3A02 Universal-Elektronikgeräte
a) Aufnahmegeräte wie folgt und
speziell hierfür konstruierte
Test(Prüf)-Bänder:
1. analoge Meß-Magnetband-Geräte
einschließlich solcher, die
die Aufnahme von digitalen
Signalen erlauben (zB mit
Verwendung eines HDDR-Moduls
(High-Density-Digitalaufnahme-
Modul), mit einem der
folgenden Merkmale:
a) einer Bandbreite von mehr
als 4 MHz/elektronischem
Kanal oder Spur;
b) einer Bandbreite von mehr
als 2 MHz/elektronischem
Kanal oder Spur und mit mehr
als 42 Spuren; oder
c) einem Zeitfehler gegenüber
der Zeitbasis gemäß IRIG
oder EIA-Normen von weniger
als +-0,1 mys;
2. digitale
Videomagnetband-Geräte mit
einer maximalen digitalen
Schnittstellen-
Übertragungsgeschwindigkeit
von mehr als 180 Mbit/s,
ausgenommen solchen, speziell
konstruiert für
Fernsehaufzeichungen gemäß
CCIR- oder IEC-Normen und
Empfehlungen für zivile
Fernsehanwendungen;
3. digitale Meß-Magnetband-
Datenaufzeichnungsgeräte mit
einem der folgenden Merkmale:
a) einer maximalen digitalen
Schnittstellen-
Übertragungsgeschwindigkeit
von mehr als 60 Mbit/s und
mit Schrägschrifttechnik;
b) einer maximalen digitalen
Schnittstellen-
Übertragungsgeschwindigkeit
von mehr als 120 Mbit/s und
mit Festkopftechnik; oder
c) raumfahrtqualifiziert;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3A02.a.3. erfaßt keine
analogen Magnetbandgeräte, die mit
HDDR-Umwandlungselektronik
ausgerüstet und nur für die
Aufnahme digitaler Daten
konfiguriert sind.
----------------------------------
4. Geräte mit einer maximalen
digitalen Schnittstellen-
Übertragungsgeschwindigkeit
von mehr als 60 Mbit/s, so
konstruiert, daß damit
digitale Videomagnetband-
Geräte für eine Verwendung als
digitale
Meßaufzeichnungsgeräte
abgeändert werden können.
b) Frequenz-Synthesizer sowie
Baugruppen mit einer
Frequenzumschaltzeit von einer
gewählten Frequenz auf eine
andere von weniger als 1 ms;
c) Signalanalysatoren wie folgt:
1. zur Analyse von Frequenzen
über 31 GHz;
2. dynamische Signalanalysatoren
mit einer Echtzeit-Bandbreite
von mehr als 25,6 kHz,
ausgenommen solche, die nur
Relativfilter (auch bekannt
als Oktav- oder
Teiloktavfilter) verwenden;
d) Signalgeneratoren mit
Frequenzsynthese, die
Ausgangsfrequenzen erzeugen,
deren Genauigkeit und Kurz- und
Langzeit-Stabilität geregelt
sind, von der internen
geräteeigenen Normalfrequenz
abstammen oder von dieser
kontrolliert werden, und mit
einem der folgenden Merkmale:
1. einer maximalen
synthetisierten Frequenz von
mehr als 31 GHz;
2. einer Frequenzumschaltzeit von
einer gewählten Frequenz auf
eine andere von weniger als
1 ms; oder
3. einem Phasenrauschpegel im
Einseitenband besser als
(126 + 20 logF - 20logf) in
dBc/Hz, wobei F die Abweichung
von der Betriebsfrequenz in Hz
und f die Betriebsfrequenz in
MHz ist;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3A02.d erfaßt keine
Geräte, bei denen die
Ausgangsfrequenz entweder durch die
Addition oder Subtraktion von zwei
oder mehreren
Kristalloszillatorfrequenzen, oder
durch die Addition oder
Subtraktion, gefolgt von einer
Multiplikation des Ergebnisses,
erzeugt wird.
----------------------------------
e) Netzwerkanalysatoren mit einer
maximalen Betriebsfrequenz von
mehr als 31 GHz;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3A02.e erfaßt keine
Wobbelfrequenz-Netzanalysatoren mit
einer maximalen Betriebsfrequenz
von nicht mehr als 40 GHz und die
nicht fernsteuerbar sind (dh.
keinen Datenbus für Verbindung
enthalten).
----------------------------------
f) Mikrowellenprüfempfänger mit
beiden folgenden Merkmalen:
1. einer maximalen
Betriebsfrequenz von mehr als
31 GHz, und
2. Amplitude und Phase ist
gleichzeitig meßbar;
g) Atomfrequenznominale mit einem
der folgenden Merkmale:
1. Langzeitstabilität (Altern)
weniger (besser) als 1 x 10
hoch -11/Monat; oder
2. raumfahrtqualifiziert;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3A02.g.1. erfaßt keine
nicht-raumfahrtqualifizierten
Rubidium-Standards.
----------------------------------
h) Emulatoren für Mikroschaltungen,
die von Nummer 3A01.a.3 oder
3A01.a.9 erfaßt sind.
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3A02.h erfaßt keine
Emulatoren, die für eine Baureihe
konstruiert sind, welche mindestens
einen nicht von Nummer 3A01.a.3
oder 3A01.a.9 erfaßten Baustein
enthalten.
----------------------------------
B. PRÜF- UND FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN
3B01 Ausrüstungen zur Herstellung
oder Prüfung von Halbleiter-
Bausteinen oder -Materialien wie
folgt und speziell hierfür
konstruierte Bauelemente und
Zubehöre.
a) Speicherprogrammierbare
Ausrüstungen zum epitaktischen
Wachsen wie folgt:
1. Erzeugung einer Schicht mit
einer Gleichmäßigkeit von
besser als +-2,5% entlang
einer Strecke von 75 mm oder
mehr zu erzeugen;
2. Reaktoren zur metallorganisch
chemischen Beschichtung aus
der Gasphase (MOCVD), speziell
konstruiert zum Ziehen von
Verbindungshalbleiter-
Kristallen mittels chemischer
Reaktion zwischen Materialien,
die von Nummer 3C03 oder 3C04
erfaßt sind;
3. Molekularstrahl-Ausrüstungen
zum epitaktischen Wachsen mit
Zuführung;
b) speicherprogrammierbare
Ausrüstungen zur
Ionenimplantation mit einem der
folgenden Merkmale:
1. einer Beschleunigungsspannung
von mehr als 200 keV;
2. speziell konstruiert und
optimiert für einen Betrieb
bei Beschleunigungsspannungen
von weniger als 10 keV;
3. Direktschreib-Fähigkeit; oder
4. fähig zur Hochenergie-
Sauerstoffimplantation in ein
erwärmtes Halbleiter-Substrat;
c) speicherprogrammierbare
Anisotrop-Plasma-Ätz-
Ausrüstungen wie folgt:
1. mit Kassetten zu
Kassetten-Verfahren mit
Schleuse, sowie mit einem der
folgenden Merkmale:
a) Magnet-Einschluß; oder
b) Elektronen-Cyclotron-
Resonanz (ECR);
2. speziell konstruiert für in
Nummer 3B01.f erfaßte
Ausrüstungen und mit einem der
folgenden Merkmale:
a) Magnet-Einschluß; oder
b) Elektronen-Cyclotron-
Resonanz (ECR);
d) speicherprogrammierbare
plasmaverstärkte
CVD-Ausrüstungen wie folgt:
1. mit Kassetten zu Kassetten-
Verfahren mit Schleuse, sowie
mit einem der folgenden
Merkmale:
a) Magnet-Einschluß; oder
b) Elektronen-Cyclotron-
Resonanz (ECR);
2. speziell konstruiert für in
Nummer 3B01.f erfaßte
Ausrüstungen und mit einem der
folgenden Merkmale:
a) Magnet-Einschluß; oder
b) Elektronen-Cyclotron-
Resonanz (ECR);
e) speicherprogrammierbare
multifunktionelle Systeme mit
gebündeltem Ionenstrahl,
speziell konstruiert zur
Fertigung, Reparatur, physischen
Layoutanalyse und Prüfung von
Masken oder
Halbleiter-Bauelementen, mit
einem der folgenden Merkmale:
1. Strahlpositionsregelung
mittels Rückmeldung vom Objekt
mit einer Genauigkeit von 0,25
mym oder kleiner; oder
2. Digital/Analog-Umwandlung mit
einer Auflösung vom mehr als
12 Bit;
f) speicherprogrammierbare
Mehrkammer-Wafer-Manipulatoren
mit Anschlüssen zum Beschichten,
an die mehr als zwei Halbleiter-
Bearbeitungsausrüstungen
angeschlossen werden können,
damit ein in einer
Vakuumumgebung integriertes
System zur sequentiellen
Mehrfach-Wafer-Bearbeitung
entsteht;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3B01.f erfaßt keine
robotergesteuerten
Wafer-Manipulatoren, die nicht für
einen Betrieb in einer
Vakuumumgebung konstruiert sind.
----------------------------------
g) speicherprogrammierbare
Lithographieausrüstungen wie
folgt:
1. Justier- und Step-and-repeat-
Ausrüstungen zur
Wafer-Bearbeitung mit
photo-optischen oder
Röntgenstrahl-Methoden mit
einem der folgenden Merkmale:
a) einer Licht-Wellenlänge
kürzer als 400 nm;
b) einer numerischen Apertur
von mehr als 0,40; oder
c) einer Justiergenauigkeit von
+-0,20 mym (3 Sigma) oder
besser;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3B01.g erfaßt keine
Justier- und Belichtungs-Step-and-
repeat-Ausrüstungen, die alle
folgenden Merkmale aufweisen:
1. eine Licht-Wellenlänge vom
436 nm oder mehr;
2. eine numerische Apertur von 0,38
oder weniger, und
3. einen Bilddurchmesser vom 22 mm
oder weniger;
----------------------------------
2. speicherprogrammierbare
Ausrüstungen, speziell
konstruiert zur
Maskenherstellung oder
Halbleiter-Baulelemente-
(Anm.: richtig: Bauelemente-)
Bearbeitung unter Verwendung
von gelenkten gebündelten
Elektronenstrahlen,
Ionenstrahlen oder
Laserstrahlen, mit einem der
folgenden Merkmale:
a) einem Lichtpunkt kleiner als
0,2 mym;
b) Erzeugung eines Musters mit
einer Auflösung von weniger
als 1 mym; oder
c) einer Justiergenauigkeit von
mehr als +/-0,20 mym
(3 Sigma);
h. Masken oder Strichplatten wie
folgt:
1. für integrierte Schaltungen,
erfaßt in Nummer 3A01;
2. Mehrschichtmasken mit einer
Phasenkompensationsschicht;
i. speicherprogrammierbare
Prüfausrüstungen, speziell
konstruiert zur Prüfung von
Halbleiter-Bauelementen und
nicht-gekapselten Chips wie
folgt:
1. zur Prüfung von S-Parametern
von Transistor-Bauelementen
bei Frequenzen von mehr als 31
GHz;
2. zur
Funktions(Wahrheitstabelle)-
Prüfung integrierter
Schaltungen und Baugruppen
hiervon bei einer
Änderungsgeschwindigkeit des
Bit-Musters von mehr als
40 MHz durchzuführen;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3B01.i.2. erfaßt keine
Prüfausrüstungen, speziell
konstruiert für das Prüfen von:
a. Baugruppen oder einer
Baugruppenklasse für Haushalts-
und Unterhaltungselektronik;
b. nichterfaßten elektronischen
Bauteilen, Baugruppen oder
integrierten Schaltungen.
----------------------------------
3. integrierte
Mikrowellenschaltungen auf
Frequenzen von mehr als 3 GHz;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3B01.i.3. erfaßt keine
Prüfausrüstungen, speziell
konstruiert zur Prüfung von
integrierten
Mikrowellenschaltungen, die
ausschließlich in Standard-Bändern
der zivilen Telekommunikation auf
Frequenzen von nicht mehr als
31 GHz arbeiten.
----------------------------------
4. Elektronenstrahlsysteme,
konstruiert für einen Betrieb
auf oder unter 3 keV, oder
Laserstrahlsysteme zur
berührungslosen Prüfung von in
Betrieb genommenen Halbleiter-
Bauelementen mit beiden
folgenden Merkmalen:
a) Stroboskop mit
Strahlverdunkelung oder
Detektorstroben, und
b) einem
Elektronen-Spektrometer zur
Spannungsmessung mit einer
Auflösung von weniger als
0,5 V;
----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3B01.i.4. erfaßt keine
Raster-Elektronenmikroskope,
ausgenommen wenn diese zur
berührungslosen Prüfung von in
Betrieb genommenen Halbleiter-
Bauelementen speziell konstruiert
und instrumentiert sind.
----------------------------------
C. MATERIALIEN
3C01 Heteroepitaxiale Materialien,
die aus einem Substrat mit
geschichteten epitaxial
gewachsenen Mehrfachschichten
bestehen.
a) Silicium;
b) Germanium; oder
c) III/V-Verbindungen aus Gallium
oder Indium.
ANMERKUNG:
III/V-Verbindungen sind
polykristalline oder binäre bzw.
komplexmonokristalline Erzeugnisse,
bestehend aus Elementen der Gruppen
IIIA und VA des Periodensystems der
chemischen Elemente
(Gallium-Arsenid,
Gallium-Aluminium-Arsenid,
Indium-Phosphid, usw.).
-----------------------------------
3C02 Photoresists und Substrate,
die mit vom Embargo erfaßten
Photoresists beschichtet sind.
a) Positive Photoresists mit einer
zur Verwendung unter 370 nm
optimierten
Spektralempfindlichkeit;
b) Alle Photoresists zur Verwendung
mit Elektronenstrahlen oder
Ionenstrahlen und mit einer
Empfindlichkeit von 0,01
mycoulomb/mm2 oder besser;
c) Alle Photoresists zur Verwendung
mit Röntgenstrahlen und mit
einer Empfindlichkeit von
2,5 mJ/mm2 oder besser;
d) Alle Photoresists, optimiert für
Oberflächenabbildungs-
technologien, einschließlich
Silyat Photoresists.
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Silyationstechniken sind als
Verfahren definiert, die eine
Oxidation der Photoresistoberfläche
beinhalten, um die Leistung sowohl
für Naß- als auch
Trockenentwicklung zu verbessern.
-----------------------------------
3C03 Metallorganische Verbindungen
aus Aluminium, Gallium oder
Indium mit einer Reinheit
(Metallbasis) von mehr als
99,999%.
3C04 Hydride aus Phosphor, Arsen
oder Antimon mit einer Reinheit
von mehr als 99,999%, auch bei
Lösung in Neutralgasen.
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3C04 erfaßt keine Hydride,
die weniger als 20% Molarität an
Edelgasen oder Wasserstoff
enthalten.
-----------------------------------
D. SOFTWARE
3D01 Software, speziell
konstruiert zur Entwicklung oder
Herstellung von in Nummern
3A01.b bis 3A01.f, 3A02 und 3B01
erfaßten Ausrüstungen.
3D02 Software, speziell
konstruiert zur Verwendung von
in Nummer 3B01 erfaßten
speicherprogrammierbaren
Ausrüstungen.
3D03 Computer-Aided-Design-(CAD-)
Software für
Halbleiter-Bauelemente oder
integrierte Schaltungen mit
einem der folgenden Merkmale:
a) Entwurfs- oder
Schaltungsüberprüfungsvor-
schriften;
b) Simulation des physischen
Layouts der Schaltungen; oder
c) lithographische
Bearbeitungssimulatoren für den
Entwurf.
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Ein lithographischer
Bearbeitungssimulator ist ein
Softwarepaket, das in der
Entwurfsphase zur Definierung der
Abfolge von Lithographie-, Ätzungs-
und Sedimentationsschritten zur
Übertragung von Maskenmustern in
spezifische topographische Muster
bei Leitern, Dielektrika oder
Halbleitermaterialien verwendet
wird.
ANMERKUNG:
Nummer 3D03 erfaßt keine
Software, speziell konstruiert zur
Schemaeintragung, logischen
Simulation, Plazierung und Routing,
Layout-Überprüfung oder
Prozeßgenerations-Bandaufnahme;
ANMERKUNG:
Bibliotheken, Entwurfshilfen oder
zugehörige Daten zum Entwurf von
Halbleiter-Bauelementen oder
integrierten Schaltungen werden als
Technologie angesehen.
-----------------------------------
E. TECHNOLOGIE
3E01 Technologie gemäß der
„General Technology Note''
(Allgemeine Technologienote) zur
Entwicklung oder Herstellung von
Geräten oder Materialien, die in
den Nummern 3A01, 3A02, 3B01,
3C01, 3C02, 3C03 oder 3C04
erfaßt sind.
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 3E01 erfaßt keine
Technologie zur Entwicklung oder
Herstellung von:
a. Mikrowellen-Transistoren, die
bei Frequenzen von unter 31 GHz
arbeiten;
b. integrierten Schaltungen der
Nummer 3A01.a.3 bis a.11, die
beide folgenden Merkmale
aufweisen:
1. Technologie von 1 mym oder
mehr verwenden, und
2. keine Mehrschicht-Strukturen
beinhalten.
ANMERKUNG:
Diese Anmerkung schließt den
Export von Mehrschicht-Technologie
für Bauelemente, die höchstens zwei
Metallschichten und zwei
Polysiliciumschichten beinhalten,
nicht aus.
-----------------------------------
3E02 Andere Technologie zur
Entwicklung oder Herstellung
von:
a) Vakuum-Mikroelektronik-
Bauelemente;
b) heterostrukturierte
Halbleiter-Bauelemente wie zB
modulations-dotierte
Feldeffekttransistoren (HEMT),
hetero-bipolare Transistoren
(HBT), Potentialtopf- oder
Superkristallgitter-Bauelemente;
c) Elektronische
Supraleiter-Bauelemente;
4 - COMPUTER
--------------------------------------------------------------------
-----------------------------------
ANMERKUNGEN: ---------------------------------
1. Rechner, verwandte Geräte oder ANMERKUNG:
Software für Telekommunikations-
Die Nummer 4R01 erfaßt
oder Local Area Einrichtungen, die entwickelt sind
Network-Funktionen sind auch für den Gebrauch in
nach den Leistungsmerkmalen der Raketensystemen der Nummer 9R01.
Gruppe 5 - Telekommunikation - ---------------------------------
zu bewerten.
ANMERKUNGEN:
1. Steuereinheiten, die Busse oder
Kanäle von Zentraleinheiten,
Hauptspeichern oder
Plattensteuerungen direkt
verbinden, sind nicht als
Telekommunikationsgeräte nach
den Leistungsmerkmalen der
Gruppe 5 - Telekommunikation -
zu bewerten.
2. Software, die ein Routing oder
Switching von datagram-Paketen
oder von fast select-Paketen
ermöglicht (dh. Richtungswahl je
Paket), oder Software, besonders
entwickelt für die
Paketvermittlung, ist in der
Gruppe 5 - Telekommunikation -
erfaßt.
3. Rechner, verwandte Geräte oder
Software mit kryptographischen
bzw. kryptoanalytischen
Funktionen, zur Gewährleistung
verfügter vielstufiger
Sicherheit oder verfügten
Teilnehmerausschlüssen oder
Funktionen zur Limitierung
elektromagnetischer
Verträglichkeit (EMV) sind auch
nach den Leistungsmerkmalen der
Gruppe 5 - Informationssicherung
- zu bewerten.
-----------------------------------
A) GERÄTE, BAUGRUPPEN UND BAUTEILE
4A01 Elektronenrechner und 4R01 Analogrechner,
verwandte Geräte wie folgt sowie Digitalrechner oder digitale
Baugruppen und besonders Differentialanalysatoren,
konstruierte Bauteile hierfür: konstruiert oder modifiziert
a) besonders konstruiert für den für die Verwendung in den
Betrieb unter einer der im Systemen laut Nummer 9R01, mit
folgenden aufgezählten einer der nachfolgenden
Bedingungen: Charakteristiken:
1. bestimmt für den Betrieb bei a) ausgelegt für den Dauerbetrieb
Umgebungstemperaturen unterhalb bei Temperaturen von unter
228 K (-45 Grad C) oder oberhalb -45 Grad C bis über 55 Grad C;
343 K (+70 Grad C) oder b) konstruiert als robustes Gerät
oder „strahlungsgehärtet''.
---------------------------------
ANMERKUNG:
Die Ausrüstung kann als Teil
eines bemannten Fluggeräts oder
Satelliten exportiert werden oder
in entsprechenden Stückzahlen als
Ersatzteile für bemannte
Fluggeräte.
---------------------------------
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 4A01.a.1. gilt nicht für
Rechner, besonders konstruiert zur Verwendung in zivilen
Kraftfahrzeugen oder in der Eisenbahnbetriebs-Elektronik.
-----------------------------------
strahlungsgesichert bei
Überschreitung eines der
folgenden Grenzwerte:
Gesamtdosis 5 x 10 hoch 5
rad (Si)
Obergrenze der Strahlungsdosis 5 x 10 hoch
8 rad (Si) oder
obere Fehlerrate 1 x 10 hoch
-7 Bitfehler je Tag
Funktionen, die die Grenzwerte
der Gruppe 5 -
Informationssicherung -
überschreiten.
4A02 Hybridrechner wie folgt sowie
Baugruppen und besonders
konstruierte Bauteile hierfür:
mit von Nummer 4A03 erfaßten
Digitalrechnern,
Digital/Analog-Wandlern, die
folgende Eigenschaften haben:
Auflösung größer oder gleich
14 Bit (ohne Vorzeichen) bei Umwandlungsfrequenzen von
größer oder gleich
200 000 Umwandlungen/s.
4A03 Digitalrechner, Baugruppen
und verwandte Geräte wie folgt
und besonders konstruierte
Bauteile hierfür:
-----------------------------------
ANMERKUNGEN:
Nummer 4A03 schließt
Vektorrechner, Array-Rechner,
Logikrechner und Geräte für
Bildverarbeitung oder
Signaldatenverarbeitung ein.
Der Erfassungsstatus von in Nummer 4A03 beschriebenen
Digitalrechnern oder verwandten
Geräten richtet sich nach dem Erfassungsstatus anderer Geräte
oder Systeme, sofern
die Digitalrechner oder die
verwandten Geräte wesentlich
sind für den Betrieb der
anderen Geräte oder Systeme,
die Digitalrechner oder die
verwandten Geräte nicht einen Hauptbestandteil der anderen
Geräte oder Systeme darstellen
und ERGÄNZENDE ANMERKUNG:
Der Erfassungsstatus von in Nummer 4A03.g beschriebenen
Geräten zur Signaldatenverarbeitung oder
Bildverarbeitung, besonders
konstruiert für (den Einbau in)
andere Einrichtungen unter
Einhaltung der Funktionsgrenzwerte dieser
anderen Einrichtungen, wird
durch den Erfassungsstatus der
anderen Einrichtungen auch dann
bestimmt, wenn das Kriterium des Hauptbestandteils nicht mehr
erfüllt ist.
Die Erfassung von
Digitalrechnern oder verwandten
Geräten für
Telekommunikationseinrichtungen
richtet sich nach Gruppe 5 -
Telekommunikation -.
die Technologie für die Digitalrechner und verwandten
Geräte in Nummer 4E geregelt
ist.
Digitalrechner oder verwandte
Geräte werden von Nummer 4A03
nicht erfaßt, sofern
-----------------------------------
sie wesentlich sind für
medizinische Anwendungen,
das Gerät durch die Art seiner
Konstruktion und Leistung
maßgeblich auf medizinische
Anwendungen beschränkt ist,
das Gerät keine andere
anwenderzugängliche
Programmierbarkeit hat als die Möglichkeit, Originalprogramme
oder geänderte Programme, die
vom Originalhersteller
geliefert werden, einzufügen,
die zusammengesetzte
theoretische Verarbeitungsrate
CTP eines Digitalrechners, der
nicht für die medizinische
Anwendung konstruiert oder
abgewandelt wurde, für diese
jedoch wesentlich ist, 20 Mio
TOPS (Millionen theoretischer Operationen je Sekunde) nicht
überschreitet und
die Technologie für die Digitalrechner oder verwandten
Geräte in Nummer 4E geregelt
ist.
konstruiert für kombiniertes
Erkennen, Verstehen und Interpretieren von Bildern oder
zusammenhängender Sprache,
konstruiert oder abgewandelt für
Systeme mit Fehlertoleranz,
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Digitalrechner und verwandte Geräte
gelten nicht als konstruiert oder
abgewandelt für Systeme mit
Fehlertoleranz im Sinne der Nummer
4A03.b, wenn sie eine der folgenden
Funktionen verwenden:
Fehlererkennungs- oder
Fehlerkorrekturalgorithmen im Hauptspeicher
die gegenseitige Verbindung
zweier Digitalrechner in der Weise, daß bei Ausfall der
aktiven Zentraleinheit eine
mitlaufende Zentraleinheit die Aufgaben des Systems fortführen
kann,
die gegenseitige Verbindung
zweier Zentraleinheiten über
Datenkanäle oder gemeinsame
Speicher in der Weise, daß eine
mitlaufende Zentraleinheit bis
zum Ausfall der aktiven
Zentraleinheit andere Funktionen
ausführen kann und ab diesem Zeitpunkt die Aufgaben des Systems übernimmt, oder
die Synchronisierung zweier
Zentraleinheiten mittels
Software in der Weise, daß die
mitlaufende Zentraleinheit den Ausfall der aktiven
Zentraleinheit erkennt, um dann
die Aufgaben der ausfallenden
Zentraleinheit zu übernehmen.
-----------------------------------
Digitalrechner mit einer
zusammengesetzten theoretischen
Verarbeitungsrate CTP von mehr
als 12,5 Mio TOPS (Millionen
theoretischer Operationen je
Sekunde),
Baugruppen, besonders
konstruiert oder abgewandelt zum Zwecke der Laufzeitverbesserung
durch Zusammenschalten von
Rechenelementen wie folgt:
-----------------------------------
ANMERKUNGEN:
Nummer 4A03.d gilt nur für
Baugruppen und programmierbare Zusammenschaltungen von
Rechenelementen, die die Grenzwerte der Nummer 4A03.c
nicht überschreiten, soweit sie
in nicht-integriertem Zustand
(als einzelne Baugruppen)
geliefert werden. Nummer 4A03.d
gilt nicht für Baugruppen, die
(schon) aufgrund ihrer
Konstruktion auf eine Verwendung
als von Nummer 4A03.e bis k
erfaßte verwandte Geräte
beschränkt sind.
Nummer 4A03.d erfaßt keine
Baugruppen, besonders
konstruiert für Produkte oder
Produktfamilien, deren
Maximalkonfiguration den Grenzwert der Nummer 4A03.c
nicht überschreiten.
-----------------------------------
entwickelt für den Zusammenschluß von 16 oder
mehr Rechenelementen zu einer Konfiguration oder
ausgestattet mit einer
maximalen gesamten Datenrate
größer als 40 Mbytes/s auf
allen zur Verfügung stehenden
Verbindungen eines Rechenelements zu anderen
Rechenelementen.
Plattenlaufwerke und Halbleiterspeicher wie folgt:
Laufwerke für Magnetplatten,
überschreibbare optische oder
magnetooptische Speicher mit
einer höchsten
Bit-Übertragungsrate größer
als 25 Mbit/s.
Halbleiterspeicher, nicht als
Hauptspeicher eingesetzt (auch
bekannt als „solid state
disks'' oder „RAM disks''),
mit einer höchsten Bit-Übertragungsrate größer als 36
Mbit/s.
Eingabe-/Ausgabesteuerungen,
konstruiert zur Verwendung für
von Nummer 4A03.e erfaßte
Geräte,
Geräte für
Signaldatenverarbeitung oder
Bildverarbeitung mit einer
zusammengesetzten theoretischen
Verarbeitungsrate von mehr als
8,5 Mio TOPS (Millionen
theoretischer Operationen je
Sekunde),
Grafikbeschleuniger oder
Grafik-Coprozessoren mit einer
3-D Vektorrate größer als
400 000 oder, falls nur 2-D
Vektoren unterstützt werden, mit
einer 2-D Vektorrate größer als
600 000 Vektoren/s.
-----------------------------------
ANMERKUNG:
Nummer 4A03.h gilt nicht für
Arbeitsplätze, konstruiert für und
beschränkt auf
grafische Gestaltungen, zB für
das Druckgewerbe oder
Verlagswesen, und
Darstellungen zweidimensionaler
Vektoren.
-----------------------------------
Farbbildschirme oder Monitore
mit einer Auflösung größer als
12 Bildpunkte/mm in Richtung der
größten Bildpunktdichte,
-----------------------------------
ANMERKUNGEN:
Nummer 4A03.i erfaßt keine
Bildschirme oder Monitore, nicht
besonders konstruiert für
Elektronenrechner.
Bildschirme, besonders
konstruiert für
Flugsicherungssysteme, werden
als besonders konstruierte
Bestandteile für
Flugsicherungssysteme der Gruppe
6 behandelt,
-----------------------------------
Geräte für Analog/Digital- oder Digital/Analog-Umwandlungen, die
die Grenzwerte der Nummer
3A01.a.5 überschreiten.
Geräte mit
Endgeräte-Schnittstellen, die
die Grenzwerte der Nummer
5A01.b.3 überschreiten.
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ANMERKUNG:
Der Begriff
„Endgeräte-Schnittstellen'' der Nummer 4A03.k schließt Local Area
Network-Schnittstellen, Modems und
sonstige
Kommunikations-Schnittstellen ein.
Local Area Network-Schnittstellen
sind als Netz-Zugangs-Steuerungen
zu behandeln.
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4A04 Rechner wie folgt und
besonders konstruierte verwandte
Geräte, Baugruppen und Bauteile
hierfür:
systolische Array-Rechner,
B. PRÜF- UND FERTIGUNGSEINRICHTUNGEN
4B01 Einrichtungen, besonders
konstruiert für die Aufbringung
von magnetischer Beschichtung
auf erfaßten starren (nicht flexiblen) magnetischen oder
magnetooptischen Datenträgern,
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ANMERKUNG:
Nummer 4B01 erfaßt keine
Universal-Sputtereinrichtungen.
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4B02 speicherprogrammierbare
Einrichtungen, besonders
konstruiert zur Überwachung,
Auswahl, Anwendungen oder
Prüfung von erfaßten starren
magnetischen Datenträgern,
4B03 Einrichtungen, besonders
konstruiert für die Herstellung
oder Justierung von
Schreib-/Leseköpfen oder von
Baugruppen (head/disk assemblies) für erfaßte starre
magnetische und magnetooptische
Speicher sowie
elektromagnetische oder optische
Bauteile hierfür.
C. WERKSTOFFE
Materialien, besonders geformt und
unverzichtbar für die Herstellung
von erfaßten Baugruppen für
magnetische und magnetooptische
Festplattenlaufwerke.
D. SOFTWARE
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ANMERKUNG:
Der Erfassungsstatus von Software
für die Entwicklung, Herstellung
und Verwendung von in anderen
Gruppen beschriebenen Einrichtungen
wird in den betreffenden Gruppen
geregelt.
Der Erfassungsstatus von Software
für die in Gruppe 4 beschriebenen
Einrichtungen bestimmt sich nach
Nummer 4D.
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4D01 Software, besonders
entwickelt oder abgewandelt für
die Entwicklung, Herstellung
oder Verwendung von
Einrichtungen, Werkstoffen oder
Software, die von Nummern 4A,
4B, 4C oder 4D erfaßt wird.
4D02 Software, besonders
entwickelt oder abgewandelt zur Unterstützung der Technologie,
die von Nummer 4E erfaßt wird.
4D03 Spezielle Software wie folgt:
Software mit mathematischen und
analytischen Verfahren und
entwickelt oder abgewandelt für
Programme mit mehr als 500 000
Instruktionen im Quellencode,
zum Prüfen und Testen von
Programmen,
Software zur automatischen
Erzeugung von Quellencodes aus
Daten, die on-line von externen
in dieser Liste beschriebenen
Sensoren kommen,
Quellencodes von
Betriebssystem-Software,
Software-Entwicklungswerkzeugen
und Compilern, besonders
entwickelt für Geräte zur Mehrfachdatenstromverarbeitung,
Expertensysteme oder Software
für Expertensysteme zur Wissensauswertung (inference engines) mit beiden folgenden
Eigenschaften:
einfache Grundlagen
(primitives) zur Behandlung
von Zeitcharakteristika in Regeln und Tatsachen,
Software mit Eigenschaften oder
Funktionen, die die Grenzwerte
der Gruppe 5 -
Informationssicherung -
überschreiten,
Betriebssysteme, besonders
konstruiert für Rechner zur Echtzeitverarbeitung, die eine Unterbrechungsintervallmöglichkeit (global interrupt latency time) kleiner als 30 mys
gewährleisten.
E. TECHNOLOGIE
4E01 Technologie gemäß der
allgemeinen Technologie-Anmerkung für die Entwicklung,
Herstellung oder Verwendung von
Einrichtungen, Werkstoffen oder
Software, die von Nummern 4A,
4B, 4C oder 4D erfaßt werden.
4E02 sonstige Technologie wie
folgt:
Technologie für die Entwicklung
oder Herstellung der von Nummer
4A03.h nicht erfaßten
Einrichtungen,
Technologie für die Entwicklung
oder Herstellung von
Einrichtungen für
Mehrfachdatenstromverarbeitung,
Technologie, erforderlich für
die Entwicklung oder Herstellung
von magnetischen
Festplattenspeichern mit einer
höchsten Bit-Übertragungsrate
größer als 11 Mbit/s.